TIP110 TIP112 TIP115 TIP117 Datasheet

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

TIP110/112
TIP115/117

COMPLEMENTARY SILICON POWER

DARLINGTON TRANSISTORS

STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES

COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION

INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE

APPLICATIONS

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT

DESCRIPTION
The

TIP110

and

TIP112

are

silicon

Epitaxial-Base NPN transistors in monolithic
Darlington

configuration

mounted

in

Jedec

TO-220 plastic package. They are intented for
use in medium power linear and switching
applications.

The complementary PNP types are TIP115 and
TIP117.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

R

1

T yp. = 7K

R

2

T yp.= 230

June 1999

1

2

3

TO-220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Val ue

Uni t

NPN

TIP110

TIP112

PNP

TIP115

TIP117

V

CBO

Collect or-Base Voltage (I

E

= 0)

60

100

V

V

CEO

Collect or-Emitter Voltage (I

B

= 0)

60

100

V

V

EBO

Emitter-Base Voltage (I

C

= 0)

5

V

I

C

Collect or Current

2

A

I

CM

Collect or Peak Current

4

A

I

B

Base Current

50

mA

P

t ot

Tot al Dissipation at T

cas e

25

o

C

T

am b

25

o

C

50

2

W
W

T

stg

Storage T emperat ure

-65 to 150

o

C

T

j

Max. O perating Junction Temperature

150

o

C

* For PNP types voltage and current values are negative

 

1/6

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

THERMAL DATA

R

t hj-ca se

R

t hj- amb

Thermal Resistance Junction-case

Max

Thermal Resistance Junction-ambient

Max

2.5

62.5

o

C/W

o

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

case

= 25

o

C unless otherwise specified)

Symb ol

Parameter

Test Cond ition s

Mi n.

Typ .

Max.

Un it

I

CEO

Collector Cut -of f
Current (I

B

= 0)

V

CE

= Half Rated V

CEO

2

mA

I

CBO

Collector Cut -of f
Current (I

E

= 0)

V

CB

= Rated V

CBO

1

mA

I

EBO

Emitt er Cut -of f Current
(I

C

= 0)

V

EB

= 5 V

2

mA

V

CEO(sus )

Collector-Emit ter
Sustaining Voltage
(I

B

= 0)

I

C

= 30 mA

for TIP110/115
for TIP112/117

60

100

V
V

V

CE(sat )

Collector-Emit ter
Saturation Voltage

I

C

= 2 A

I

B

= 8 mA

2.5

V

V

BE

Base-Emitt er Voltage

I

C

= 2 A

V

CE

= 4 V

2.8

V

h

F E

DC Current Gain

I

C

= 1 A

V

CE

= 4 V

I

C

= 2 A

V

CE

= 4 V

1000

500

∗ 

Pulsed: Pulse duration = 300

µ

s, duty cycle 1.5 %

For PNP types voltage and current values are negative.

Safe Operating Areas

Derating Curve

TIP110/TIP112/TIP115/TIP117

2/6

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

DC Current Gain (NPN type)

Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)

Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type)

DC Current Gain (PNP type)

Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)

Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type)

TIP110/TIP112/TIP115/TIP117

3/6

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

Base-Emitter On Voltage (NPN type)

Base-Emitter On Voltage (PNP type)

Freewheel Diode Forward Voltage (NPN types)

Freewheel Diode Forward Voltage (PNP types)

TIP110/TIP112/TIP115/TIP117

4/6

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

DIM.

mm

inch

MIN.

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

A

4.40

4.60

0.173

0.181

C

1.23

1.32

0.048

0.051

D

2.40

2.72

0.094

0.107

D1

1.27

0.050

E

0.49

0.70

0.019

0.027

F

0.61

0.88

0.024

0.034

F1

1.14

1.70

0.044

0.067

F2

1.14

1.70

0.044

0.067

G

4.95

5.15

0.194

0.203

G1

2.4

2.7

0.094

0.106

H2

10.0

10.40

0.393

0.409

L2

16.4

0.645

L4

13.0

14.0

0.511

0.551

L5

2.65

2.95

0.104

0.116

L6

15.25

15.75

0.600

0.620

L7

6.2

6.6

0.244

0.260

L9

3.5

3.93

0.137

0.154

DIA.

3.75

3.85

0.147

0.151

P011C

TO-220 MECHANICAL DATA

TIP110/TIP112/TIP115/TIP117

5/6

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4126-html.html
background image

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences
of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is
granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are
subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products
are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.

The ST logo is a trademark of STMicroelectronics

1999 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights Reserved

STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES

Australia - Brazil - Canada - China - France - Germany - Italy - Japan - Korea - Malaysia - Malta - Mexico - Morocco - The Netherlands -

Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A.

http://www.st.com

.

TIP110/TIP112/TIP115/TIP117

6/6

Maker
ST Microelectronics
Datasheet PDF Download