74LVX245 Datasheet

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

TL/F/11597

74LVX245

Low

Voltage

Octal

Bidirectional

Transceiver

October 1995

74LVX245
Low Voltage Octal Bidirectional Transceiver

General Description

The LVX245 contains eight non-inverting bidirectional buff-
ers is intended for bus-oriented applications. The Transmit/
Receive (T/R) input determines the direction of data flow
through the bidirectional transceiver. Transmit (active-
HIGH) enables data from A ports to B ports; Receive (ac-
tive-LOW) enables data from B ports to A ports. The Output
Enable input, when HIGH, disables both A and B ports by
placing them in a HIGH-Z condition.

Features

Y

Ideal for low power/low noise 3.3V applications

Y

Available in SOIC JEDEC, SOIC EIAJ, SSOP and
TSSOP packages

Y

Guaranteed simultaneous switching noise level and
dynamic threshold performance

Logic Symbols

Connection Diagram

TL/F/11597 – 1

TL/F/11597 – 5

Pin Assignment for

SSOP, SOIC and TSSOP

TL/F/11597 – 3

Pin

Description

Names

OE

Output Enable Input

T/R

Transmit/Receive Input

A

0

– A

7

Side A TRI-STATE

É

Inputs or TRI-STATE Outputs

B

0

– B

7

Side B TRI-STATE Inputs or TRI-STATE Outputs

Truth Table

Inputs

Outputs

OE

T/R

L

L

Bus B Data to Bus A

L

H

Bus A Data to Bus B

H

X

HIGH-Z State

H e HIGH Voltage Level

L e LOW Voltage Level

X e Immaterial

SOIC JEDEC

SOIC EIAJ

SSOP TYPE I

TSSOP

Order Number

74LVX245M

74LVX245SJ

74LVX245MTC

74LVX245MX

74LVX245SJX

74LVX245MSCX

74LVX245MTCX

See NS Package Number

M20B

M20D

MSC20

MTC20

TRI-STATE

É

is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

C1995 National Semiconductor Corporation

RRD-B30M115/Printed in U. S. A.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

Absolute Maximum Ratings

(Note)

If Military/Aerospace specified devices are required,
please contact the National Semiconductor Sales
Office/Distributors for availability and specifications.

Supply Voltage (V

CC

)

b

0.5V to

a

7.0V

DC Input Diode Current (I

IK

)

V

I

e b

0.5V

b

20 mA

DC Input Voltage T/R, OE (V

I

)

b

0.5V to 7V

DC Diode Current (I

OK

)

V

O

e b

0.5V

b

20 mA

V

O

e

V

CC

a

0.5V

a

20 mA

DC Bus I/O Voltage (V

I/O

)

b

0.5V to V

CC

a

0.5V

DC Output Source

or Sink Current (I

O

)

g

25 mA

DC V

CC

or Ground Current

(I

CC

or I

GND

)

g

75 mA

Storage Temperature (T

STG

)

b

65

§

C to

a

150

§

C

Power Dissipation

180 mW

Note:

The ‘‘Absolute Maximum Ratings’’ are those values

beyond which the safety of the device cannot be guaran-
teed. The device should not be operated at these limits. The
parametric values defined in the ‘‘Electrical Characteristics’’
table are not guaranteed at the absolute maximum ratings.
The ‘‘Recommended Operating Conditions’’ table will define
the conditions for actual device operation.

Recommended Operating
Conditions

Supply Voltage (V

CC

)

2.0V to 3.6V

Input Voltage T/R, OE (V

I

)

0V to 5.5V

Bus I/O Voltage (V

I/O

)

0V to V

CC

Operating Temperature (T

A

)

b

40

§

C to

a

85

§

C

Input Rise and Fall Time (Dt/DV)

0 ns/V to 100 ns/V

DC Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

V

CC

74LVX245

74LVX245

Units

Conditions

T

A

e a

25

§

C

T

A

e

b

40

§

C to

a

85

§

C

Min

Typ

Max

Min

Max

V

IH

High Level

2.0

1.5

1.5

Input

3.0

2.0

2.0

V

Voltage

3.6

2.4

2.4

V

IL

Low Level

2.0

0.5

0.5

Input

3.0

0.8

0.8

V

Voltage

3.6

0.8

0.8

V

OH

High Level

2.0

1.9

2.0

1.9

V

IN

e

V

IH

or V

IL

I

OH

e b

50 mA

Output

3.0

2.9

3.0

2.9

V

I

OH

e b

50 mA

Voltage

3.0

2.58

2.48

I

OH

e b

4 mA

V

OL

Low Level

2.0

0.0

0.1

0.1

V

IN

e

V

IH

or V

IL

I

OL

e

50 mA

Output

3.0

0.0

0.1

0.1

V

I

OL

e

50 mA

Voltage

3.0

0.36

0.44

I

OL

e

4 mA

I

OZ

TRI-STATE

g

0.25

g

2.5

V

IN

e

V

IH

or V

IL

Output

3.6

m

A

V

OUT

e

V

CC

or GND

Off-State
Current

I

IN

Input

g

0.1

g

1.0

V

IN

e

5.5V or GND

Leakage

3.6

m

A

Current

I

CC

Quiescent

4.0

40.0

V

IN

e

V

CC

or GND

Supply

3.6

m

A

Current

2

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

Noise Characteristics

Symbol

Parameter

V

CC

(V)

74LVX245

Units

Conditions

C

L

(pF)

T

A

e

25

§

C

Typ

Limit

V

OLP

Quiet Output Maximum Dynamic V

OL

3.3

0.5

0.8

V

50

V

OLV

Quiet Output Minimum Dynamic V

OL

3.3

b

0.5

b

0.8

V

50

V

IHD

Minimum High Level Dynamic Input Voltage

3.3

2.0

V

50

V

ILD

Maximum Low Level Dynamic Input Voltage

3.3

0.8

V

50

Note:

Input t

r

e

t

f

e

3 ns

AC Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

V

CC

(V)

74LVX245

74LVX245

Units

Conditions

T

A

e a

25

§

C

T

A

e

b

40

§

C to

a

85

§

C

Min

Typ

Max

Min

Max

t

PLH

Propagation Delay Time

2.7

6.1

10.7

1.0

13.5

ns

C

L

e

15 pF

t

PHL

8.6

14.2

1.0

17.0

C

L

e

50 pF

3.3

g

0.3

4.7

6.8

1.0

8.0

C

L

e

15 pF

7.2

10.1

1.0

11.5

C

L

e

50 pF

t

PZL

TRI-STATE Output

2.7

9.0

16.9

1.0

20.5

ns

C

L

e

15 pF, R

L

e

1 kX

t

PZH

Enable Time

11.5

20.4

1.0

24.0

C

L

e

50 pF, R

L

e

1 kX

3.3

g

0.3

7.1

11.0

1.0

13.0

C

L

e

15 pF, R

L

e

1 kX

9.6

14.5

1.0

16.5

C

L

e

50 pF, R

L

e

1 kX

t

PLZ

TRI-STATE Output

2.7

11.5

18.0

1.0

21.0

ns

C

L

e

50 pF, R

L

e

1 kX

t

PHZ

Disable Time

3.3

g

0.3

9.6

12.8

1.0

14.5

C

L

e

50 pF, R

L

e

1 kX

t

OSLH

Output to Output Skew

2.7

1.5

1.5

ns

C

L

e

50 pF (Note 1)

t

OSHL

(Note 1)

Note 1:

Parameter guaranteed by design. t

OSLH

e

l

t

PLHm

b

t

PLHn

l

, t

OSHL

e

l

t

PHLm

b

t

PHLn

l

Capacitance

Symbol

Parameter

74LVX245

74LVX245

Units

T

A

e a

25

§

C

T

A

e

b

40

§

C to

a

85

§

C

Min

Typ

Max

Min

Max

C

IN

Input Capacitance T/R, OE

4

10

10

pF

C

I/O

Output Capacitance A

n

, B

n

8

pF

C

PD

Power Dissipation

21

pF

Capacitance (Note 1)

Note 1:

C

PD

is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption

without load.

Average operating current can be obtained by the equation: I

CC(opr.)

e

C

PD

c

V

CC

c

f

IN

a

I

CC

8 (per bit)

3

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

74LVX245 Ordering Information

The device number is used to form part of a simplified purchasing code where the package type and temperature range are
defined as follows:

TL/F/11597 – 7

Physical Dimensions

inches (millimeters)

20-Lead Small Outline Integrated Circuit (M)

Order Number 74LVX245M or 74LVX245MX

NS Package Number M20B

4

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

Physical Dimensions

inches (millimeters)

20-Lead Small Outline Package EIAJ SOIC (SJ)

Order Number 74LVX245SJ or 74LVX245SJX

NS Package Number M20D

Dimensions are in millimeters

20-Lead Plastic EIAJ SSOP Type I (MSC)

Order Number 74LVX245MSCX

NS Package Number MSC20

5

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/74LVX245-html.html
background image

74LVX245

Low

Voltage

Octal

Bidirectional

Transceiver

Physical Dimensions

All dimensions in millimeters (Continued)

20-Lead Thin Shrink Small Outline Package, JEDEC

Order Number 74LVX245MTC or 74LVX245MTCX

NS Package Number MTC20

LIFE SUPPORT POLICY

NATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL
SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or

2. A critical component is any component of a life

systems which, (a) are intended for surgical implant

support device or system whose failure to perform can

into the body, or (b) support or sustain life, and whose

be reasonably expected to cause the failure of the life

failure to perform, when properly used in accordance

support device or system, or to affect its safety or

with instructions for use provided in the labeling, can

effectiveness.

be reasonably expected to result in a significant injury
to the user.

National Semiconductor

National Semiconductor

National Semiconductor

National Semiconductor

Corporation

Europe

Hong Kong Ltd.

Japan Ltd.

1111 West Bardin Road

Fax: (

a

49) 0-180-530 85 86

13th Floor, Straight Block,

Tel: 81-043-299-2309

Arlington, TX 76017

Email: cnjwge

@

tevm2.nsc.com

Ocean Centre, 5 Canton Rd.

Fax: 81-043-299-2408

Tel: 1(800) 272-9959

Deutsch Tel: (

a

49) 0-180-530 85 85

Tsimshatsui, Kowloon

Fax: 1(800) 737-7018

English

Tel: (

a

49) 0-180-532 78 32

Hong Kong

Fran

3ais Tel: (

a

49) 0-180-532 93 58

Tel: (852) 2737-1600

Italiano

Tel: (

a

49) 0-180-534 16 80

Fax: (852) 2736-9960

National does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.

Maker
National Semiconductor
Datasheet PDF Download