2005 Microchip Technology Inc.
DS21929A_KR-page 1
93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C
93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C, 93C56A/B/C
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
93AA76A/B/C, 93LC76A/B/C, 93C76A/B/C
93AA86A/B/C, 93LC86A/B/C, 93C86A/B/C
특징
:
• EEPROM 메모리 용량은 1 K ~ 16 K 비트이다
• 저 전력 CMOS 기술을 채택 하였다
• ORG 핀을 이용하여 통신 비트를 선택 할 수도 있
고 또는 고정 되어 있는 소자를 이용 가능하다
ORG 핀이 있는 EEPROM
- 그라운드를 연결 하는 경우 : 8 비트 통신
- Vdd 를 연결 하는 경우 : 16 비트 통신
ORG 핀이 없는 EEPROM
- ‘A’ 버젼 : 8 비트 , ‘B’ 버젼 : 16 비트 통신
• 프로그램 인에이블 핀을 가지고 있다
- 93XX76C 과 93XX86C EEPROM 은 내부 메
모리에 쓰기를 금지 하는 핀을 가지고 있다
• 자동 Erase/Write 사이클 기능이 가능하다
• WRAL(Write All) 명령이 수행이 되면 자동적으로
ERAL(Erase All) 기능이 수행이 된다
• 전원 on/off 시 자동적으로 쓰기 동작이 금지된다
• 범용적으로 사용 되는 3 와이어 통신이 이용 된다
• 현재 EEPROM 의 상태를 Ready/Busy 신호를 통
하여 파악 할 수 있다
• 연속적으로 데이터를 읽을 수 있다
• Erase/Write 는 백만번 가능하다
• EEPROM 의 데이터 유지는 200 년 보장 된다
• 다양한 온도 범위의 EEPROM 이 지원이 된다 :
EEPROM 핀 별 기능 테이블
기능 설명
:
마이크로칩 테크놀로지는
3 와이어 통신 방식을 채택하
고 내부 용량이
1K 비트에서 16K 비트 까지의 저 전력
용
EEPROM(Electrically Erasable PROM) 을 지원 하
고 있다 . 각각의 소자들은
ORG 핀을 이용 할 수도 하
지 않을 수도 있으며 이러한 기능은 지원 되는 파트 -
넘버 를 통 하여 선택 할 수 있 다 . 새로 히 출 시 된
EEPROM 은 진보된 CMOS 기술을 채택 하였으므로 저
전력이 필요한 에플리케이션에 적당하며 또한 다양한
패키지를 지원하고 있으므로 사용자는 필요에 따라서
자신의 에플리케이션에 맞게 선택 할 수 있다 .
지원 되는 패키지로는
8 핀 DIP 패키지 , 8 핀 SOIC 패
키지 ,
8 핀 MSOP 패키지 , 8 핀 TSSOP 패키지 , 6 핀
SOT-23 패키지 , 8 핀 DFN (2x3) 등이 있으며 이러한 모
든 패키지는
Pb-free ( Pure Matte Sn : 납 성분이 없는
소자 ) 를 지원 하고 있다 .
Pb-free 의 보다 자세한 사항은 www.microchip.com 에
서 확인 하길 바란다 .
핀 다이어그램
( 실제 사이즈는 아님 )
- Industrial (I)
-40°C ~ +85°C
- Automotive (E)
-40°C ~ +125°C
핀 이름
핀 기능
CS
EEPROM 선택 입력 핀
CLK
시리얼 클럭 입력 핀
DI
시리얼 데이터 입력 핀
DO
시리얼 데이터 출력 핀
V
SS
그라운드
PE
프로그램 인에이블 핀
ORG
8 비트 /16 비트 통신 선택 핀
V
CC
전원 입력 핀
노트 :
ORG 핀과 PE 핀은모든 EEPROM 에는 적용이
되지 않는다 . 자세한 사항은 테이블
1-1 을 참조
하기를 바란다
PDIP/SOIC
(P, SN)
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NC
ORG
V
SS
ROTATED SOIC
( 예 : 93LC46BX)
TSSOP/MSOP
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
(2,3)
ORG
(1,3)
V
SS
(ST, MS)
SOT-23
DO
V
SS
DI
1
2
3
6
5
4
V
CC
CS
CLK
(OT)
노트
1:
ORG 핀은 93XX46C/56C/66C/76C/86C 만 적용 됨
2: PE 핀은 93XX76C/86C 만 적용 됨
3: 93XXA/B 의 ORG/PE 핀은 내부 연결이 없다
DI
DO
V
SS
ORG
1
2
3
4
8
7
6
5
CLK
CS
V
CC
PE
(1,3)
(1,3)
(2,3)
DFN (MC)
1
2
3
4
5
6
7
8
CS
CLK
DI
DO
V
CC
PE
(2,3)
ORG
(1,3)
V
SS
1K~16K 용량의 마이크로 와이어 직렬 EEPROMs
노트 :
Pb-free 에 최신의 정보는 www.microchip.com/Pbfree 에서 확인 하길 바란다
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A_KR- 페이지 2
2005 마이크로칩 테크놀로지
테이블 1-1:
EEPROM 선택 테이블
파트 넘버
용량
(Kbits)
전압
범위
ORG 핀
통신 규칙
(Words)
PE 핀
온도
범위
패키지
93XX46A/B/C
93AA46A
1
1.8-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA46B
1
1.8-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA46C
1
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC46A
1
2.5-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC46B
1
2.5-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC46C
1
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C46A
1
4.5-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C46B
1
4.5-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C46C
1
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93AA46AX/BX/CX, 93LC46AX/BX/CX, 93C46AX/BX/CX ( 다이가 90° 돌려진 다른 핀 - 아웃을 가진다 )
93AA46AX
1
1.8-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA46BX
1
1.8-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA46CX
1
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC46AX
1
2.5-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC46BX
1
2.5-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC46CX
1
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C46AX
1
4.5-5.5
없음
128 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C46BX
1
4.5-5.5
없음
64 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C46CX
1
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93XX56A/B/C
93AA56A
2
1.8-5.5
없음
256 x 8 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA56B
2
1.8-5.5
없음
128 x 16 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA56C
2
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC56A
2
2.5-5.5
없음
256 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC56B
2
2.5-5.5
없음
128 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC56C
2
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C56A
2
4.5-5.5
없음
256 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C56B
2
4.5-5.5
없음
128 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C56C
2
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93XX66A/B/C
93AA66A
4
1.8-5.5
없음
512 x 8 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA66B
4
1.8-5.5
없음
256 x 16 비트
없음
I
P, SN, ST, MS, OT, MC
93AA66C
4
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC66A
4
2.5-5.5
없음
512 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC66B
4
2.5-5.5
없음
256 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93LC66C
4
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C66A
4
4.5-5.5
없음
512 x 8 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C66B
4
4.5-5.5
없음
256 x 16 비트
없음
I, E
P, SN, ST, MS, OT, MC
93C66C
4
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
없음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
2005 마이크로칩 테크놀로지 .
DS21929A_KR- 페이지 3
93XX46X/56X/66X/76X/86X
93XX76A/B/C
93AA76A
8
1.8-5.5
없음
1024 x 8 비트
없음
I
OT
93AA76B
8
1.8-5.5
없음
512 x 16 비트
없음
I
OT
93AA76C
8
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC76A
8
2.5-5.5
없음
1024 x 8 비트
없음
I, E
OT
93LC76B
8
2.5-5.5
없음
512 x 16 비트
없음
I, E
OT
93LC76C
8
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C76A
8
4.5-5.5
없음
1024 x 8 비트
없음
I, E
OT
93C76B
8
4.5-5.5
없음
512 x 16 비트
없음
I, E
OT
93C76C
8
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93XX86A/B/C
93AA86A
16
1.8-5.5
없음
2048 x 8 비트
없음
I
OT
93AA86B
16
1.8-5.5
없음
1024 x 16 비트
없음
I
OT
93AA86C
16
1.8-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I
P, SN, ST, MS, MC
93LC86A
16
2.5-5.5
없음
2048 x 8 비트
없음
I, E
OT
93LC86B
16
2.5-5.5
없음
1024 x 16 비트
없음
I, E
OT
93LC86C
16
2.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
93C86A
16
4.5-5.5
없음
2048 x 8 비트
없음
I, E
OT
93C86B
16
4.5-5.5
없음
1024 x 16 비트
없음
I, E
OT
93C86C
16
4.5-5.5
있음
8 비트 ,16 비트 선택
있음
I, E
P, SN, ST, MS, MC
테이블 1-1:
EEPROM 선택 테이블 ( 앞페이지에 이어 계속 됨 )
파트 넘버
용량
(Kbits)
전압
범위
ORG 핀
통신 규칙
(Words)
PE 핀
온도
범위
패키지
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A_KR- 페이지 4
2005 마이크로칩 테크놀로지
2.0
전기적 특성
절대적 최대치
(†)
전압
............................................................................................................................................................................7.0V
모든 입력 , 출력
w.r.t. V
SS
................................................................................................................. -0.6V to V
CC
+1.0V
저장 온도
.................................................................................................................................................-65°C to +150°C
전원이 공급 되는 경우의 온도 범위
........................................................................................................-40°C to +125°C
모든 핀의
ESD protection
.......................................................................................................................................................≥ 4 kV
†
주의
: 위에서 제시한 스트레스의 절대적 최대치의 값들은 EEPROM 에 치명적인 파손을 가져 올 수 있다 . 위에서 제
시한 값들은
EEPROM 이 기능적으로만 동작이 되는 경우에 한하며 스펙에서 제시 되지 않은 다른 조건에서는 해당
되지 않으며 그 이상의 조건에서는 디바이스의 신뢰성에 영향을 미칠수 있다 .
테이블 2-1:
DC 특성
모든 파라미터 값들은 다른 공지 사항이 없으
면 명시된 값으로 적용 된다
전압
= 1.8V to 5.5V
Industrial (I):
T
A
= -40°C to +85°C
Automotive (E): T
A
= -40°C to +125°C
Param.
넘버
심볼
파라미터
최소
평균
최대
단위
조건
D1
V
IH
1
V
IH
2
입력 전압 하이 레벨
2.0
0.7 V
CC
—
—
V
CC
+1
V
CC
+1
V
V
V
CC
≥ 2.7V
V
CC
< 2.7V
D2
V
IL
1
V
IL
2
입력 전압 로우 레벨
-0.3
-0.3
—
—
0.8
0.2 V
CC
V
V
V
CC
≥ 2.7V
V
CC
< 2.7V
D3
V
OL
1
V
OL
2
출력 전압 로우 레벨
—
—
—
—
0.4
0.2
V
V
I
OL
= 2.1 mA, V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
µA, V
CC
= 2.5V
D4
V
OH
1
V
OH
2
출력 전압 하이 레벨
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
V
V
I
OH
= -400
µA, V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100
µA, V
CC
= 2.5V
D5
I
LI
입력 누설 전류
—
—
±1
µA
V
IN
= V
SS
to V
CC
D6
I
LO
출력 누설 전류
—
—
±1
µA
V
OUT
= V
SS
to V
CC
D7
C
IN
,
C
OUT
핀 캐패시턴스
( 모든 입력 / 출력 )
—
—
7
pF
V
IN
/V
OUT
= 0V ( 노트 1 )
T
A
= 25°C, F
CLK
= 1 MHz
D8
I
CC
write 쓰기 모드 전류
—
—
2
mA
F
CLK
= 3 MHz, V
CC
= 5.5V
(93XX46X/56X/66X)
—
—
—
500
3
—
mA
µA
F
CLK
= 3 MHz, V
CC
= 5.5V
(93XX76X/86X)
F
CLK
= 2 MHz, V
CC
= 2.5V
D9
I
CC
read 읽기 모드 전류
—
—
—
—
—
100
1
500
—
mA
µA
µA
F
CLK
= 3 MHz, V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 2 MHz, V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 2 MHz, V
CC
= 2.5V
D10
I
CCS
저 전력 소비 전류
—
—
—
—
1
5
µA
µA
I-Temp ( 노트 2, 3 )
E-Temp
CLK = Cs = 0V
ORG = DI = V
SS
or V
CC
D11
V
POR
V
CC
전압 감지
—
—
1.5V
3.8V
—
—
V
V
93AAX6A/B/C, 93LCX6A/B/C,
93CX6A/B/C ( 노트 1 )
노트 1:
파라미터 값들은
100% 테스트 된것이 아니라 주기적으로 샘플 테스트 한 값이다 .
2:
ORG 핀과 PE 핀은 ‘A’ , ‘B’ 버젼에는 적용 되지 않는다 .
3:
Ready/Busy 신호는 DO 핀으로 부터 클리어 되어야 한다.자세한 사항은 Section 4.4 “데이터 출력 (DO)”
참조 할것 .
2005 마이크로칩 테크놀로지 .
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93XX46X/56X/66X/76X/86X
테이블 2-2:
AC 특성
모든 파라미터 값들은 다른 공지 사항이 없으면
명시된 값으로 적용 된다
전압
= 1.8V to 5.5V
Industrial (I):
T
A
= -40°C to +85°C
Automotive (E): T
A
= -40°C to +125°C
Param.
넘버
.
심볼
파라미터
최소
최대
단위
조건
A1
F
CLK
클럭 주파수
—
3
2
1
MHz
MHz
MHz
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A2
T
CKH
클럭 하이 구간 시간
200
250
450
—
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A3
T
CKL
클럭 로우 구간 시간
100
200
450
—
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A4
T
CSS
칩 선택 셋업 시간
50
100
250
—
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A5
T
CSH
칩 선택 홀드 시간
0
—
ns
1.8V
≤ V
CC
< 5.5V
A6
T
CSL
칩 선택 로우 시간
250
—
ns
1.8V
≤ V
CC
< 5.5V
A7
T
DIS
데이터 입력 셋업 시간
50
100
250
—
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A8
T
DIH
데이터 입력 홀드 시간
50
100
250
—
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V
A9
T
PD
데이터 출력 지연 시간
—
100
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V, CL = 100 pF
(93C76X/86X)
—
200
250
400
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V, CL = 100 pF
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V, CL = 100 pF
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V, CL = 100 pF
A10
T
CZ
데이터 출력 디제이블 시간
—
100
200
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V, ( 노트 1 )
1.8V
≤ V
CC
< 4.5V, ( 노트 1 )
A11
T
SV
상태 유효 시간
—
200
300
500
ns
ns
ns
4.5V
≤ V
CC
< 5.5V, CL = 100 pF
2.5V
≤ V
CC
< 4.5V, CL = 100 pF
1.8V
≤ V
CC
< 2.5V, CL = 100 pF
A12
T
WC
프로그램 사이클 시간
—
5
ms
Erase/Write 모드
93XX76X/86X
(AA 및 LC 버젼 )
—
6
ms
93XX46X/56X/66X
(AA 및 LC 버젼 )
A13
T
WC
—
2
ms
93C46X/56X/66X/76X/86X
A14
T
EC
프로그램 사이클 시간
—
6
ms
ERAL 모드 , 4.5V
≤ V
CC
≤ 5.5V
A15
T
WL
—
15
ms
WRAL 모드 , 4.5V
≤ V
CC
≤ 5.5V
A16
—
인듀어런스
1M
—
사이클 25°C, V
CC
= 5.0V, ( 노트 2 )
노트 1:
파라미터 값들은
100% 테스트 된것이 아니라 주기적으로 샘플 테스트 한 값이다 .
2:
이값은 테스트 된것은 아니지만 특성에 의하여 보증이 된다 . 자신의 어플리케이션에 정확한 인듀어런스
를 체크 하기 위해서는
www.microchip.com 에서 Total Endurance™ Model 을 참고 하기를 바란다
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A_KR- 페이지 6
2005 마이크로칩 테크놀로지
그림 2-1:
동기화된 데이터 타이밍
CS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
CLK
DI
DO
(Read)
DO
(Program)
T
CSS
T
DIS
T
CKH
T
CKL
T
DIH
T
PD
T
CSH
T
PD
T
CZ
Status Valid
T
SV
T
CZ
Note:
상태안정 시간은
(T
SV
) CS 에 대하여 상대적이다
2005 마이크로칩 테크놀로지 .
DS21929A_KR- 페이지 7
93XX46X/56X/66X/76X/86X
테이블 2-4:
93XX56A/B/C 명령어 군
테이블 2-3:
93XX46A/B/C 명령어 군
명령어
SB 오피코드
어드레스
데이터
입력
데이터
출력
요구되
는 클럭
사이클
93XX46B 또는 93XX46C ( ORG = 1 일때 : 16 비트 구조 )
ERASE
1
11
A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
9
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
9
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
—
High-Z
9
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
—
High-Z
9
READ
1
10
A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15-D0
25
WRITE
1
01
A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY)
25
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
D15-D0 (RDY/BSY)
25
93XX46A 또는 93XX46C ( ORG = 0 일때 : 8 비트 구조 )
ERASE
1
11
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
10
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
10
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
—
High-Z
10
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
—
High-Z
10
READ
1
10
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7-D0
18
WRITE
1
01
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/BSY)
18
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/BSY)
18
명령어
SB 오피코드
어드레스
데이터
입력
데이터 출력
요구되
는 클럭
사이클
93XX56B 또는 93XX56C ( ORG = 1 일때 : 16 비트 구조 )
ERASE
1
11
x
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
11
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
11
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
11
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
11
READ
1
10
x
A6 A5 A4 A3 S2 A1 A0
—
D15-D0
27
WRITE
1
01
x
A6 A5 A4 A3 S2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY)
27
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
D15-D0 (RDY/BSY)
27
93XX56A 또는 93XX56C ( ORG = 0 일때 : 8 비트 구조 )
ERASE
1
11
x
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
12
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
12
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
12
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
12
READ
1
10
x
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7-D0
20
WRITE
1
01
x
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/BSY)
20
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/BSY)
20
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A_KR- 페이지 8
2005 마이크로칩 테크놀로지
테이블 2-5:
93XX66A/B/C 명령어 군
테이블 2-6:
93XX76A/B/C 명령어 군
명령어
SB 오피코드
어드레스
데이터
입력
데이터
출력
요구되
는 클럭
사이클
93XX66B 또는 93XX66C ( ORG = 1 일때 : 16 비트 구조 )
ERASE
1
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
11
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
11
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
11
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
11
READ
1
10
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15-D0
27
WRITE
1
01
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0
(RDY/BSY)
27
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
D15-D0
(RDY/BSY)
27
93XX66A 또는 93XX66C ( ORG = 0 일때 : 8 비트 구조 )
ERASE
1
11
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
12
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
12
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
12
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
12
READ
1
10
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7-D0
20
WRITE
1
01
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/BSY)
20
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/BSY)
20
명령어
SB 오피코드
어드레스
데이터
입력
데이터 출력
요구되
는 클럭
사이클
93XX76B 또는 93XX76C ( ORG = 1 일때 :16 비트 구조 )
ERASE
1
11
x
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
13
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
13
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
13
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
13
READ
1
10
x
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15-D0
29
WRITE
1
01
x
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0
(RDY/BSY)
29
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
D15-D0
(RDY/BSY)
29
93XX76A 또는 93XX76C ( ORG = 0 일때 : 8 비트 구조 )
ERASE
1
11
x
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
14
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
14
EWDS
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
14
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
14
READ
1
10
x
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7-D0
22
WRITE
1
01
x
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/BSY)
22
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/BSY)
22
2005 마이크로칩 테크놀로지 .
DS21929A_KR- 페이지 9
93XX46X/56X/66X/76X/86X
테이블 2-7:
93XX86A/B/C 명령어 군
명령어
SB 오피코드
어드레스
데이터
입력
데이터 출력
요구되
는 클럭
사이클
93XX86B 또는 93XX86C ( ORG = 1 일때 : 16 비트 구조 )
ERASE
1
11
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
13
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
13
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
13
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
13
READ
1
10
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15-D0
29
WRITE
1
01
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY)
29
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
D15-D0 (RDY/BSY)
29
93XX86A 또는 93XX86C ( ORG = 0 일때 : 8 비트 구조 )
ERASE
1
11
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)
14
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
(RDY/BSY)
14
EWDS
1
00
0
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
14
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
—
High-Z
14
READ
1
10
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7-D0
22
WRITE
1
01
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/BSY)
22
WRAL
1
00
0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/BSY)
22
93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A_KR- 페이지 10
2005 마이크로칩 테크놀로지
3.0
기능 설명
ORG 핀이 Vcc 쪽으로 연결이 되어 있는 경우는 16 비
트 통신이 이루어 지며
GDN 쪽으로 연결이 되어 있는
경우는
8 비트 통신이 이루어 진다 .
DI(Data In) 핀을 통하여 EEPROM 쪽으로 전달 되는
명령어 , 어드레스 , 그리고 데이터들은
CLK 핀의 상승
에지에서 전달이 된다 .
DO(Data Out) 핀은 EEPROM 으로 부터 데이터를 읽
는 경우 그리고
EEPROM 으로 데이터를 라이트 하는
동작을 할때
Ready/Busy 신호를 체크 하는 경우를 제
외 하면 평상시에는 하이 - 임피던스 상태를 유지 한
다 . 사 용 자 는
DO 핀 을 통 하여 현재 EEPROM 의
Erase/Write 의 진행 상태를 파악 할 수 있는데 이는
Ready/Busy 신호로 파악 가능하다 . 만약 DO 핀상에
LOW 레벨 상태가 검출이 되면 현재 Erase/Write 상태
가 진행 중임을 의미하며 반면에
DO 핀상에 HIGH 레
벨 상태가 검출이 되면
EEPROM 이 다른 동작을 위한
준비가 되어 있슴을 의미한다 .
DO 핀은 CS 핀의 하강 - 에지에서 하이 - 임피던스
(
High-Z) 상태로 들어 가게 된다 .
3.1
시작 조건
EEPROM 과의 통신은 CS 핀과 DI 핀이 HIGH 레벨 상태
를 유지 하고 있을때 처음 발생 되는
CLK 의 상승 - 에
지에서 시작이 된다 .
시작 조건이 검출 되기 이전에는
CS 핀 ,CLK 핀 ,DI 핀
들은
EEPROM 의 동작 상태인 Read, Write, Earse,
EWEN,EWDS,ERAL,WRAL 의 상태가 아닌 어떠한 상
태 (
High/Low 레벨 ) 로 있어도 가능하다 . 또한 시작 조
건에 부합 되는 상태는 불가능 함을 유의 하기를 바란
다 .
CS 핀이 High 레벨 상태로 전환이 되면 EEPROM 은 더
이상 저전력모드가 아니라 동작 모드로 전환이 될것이
다 .
시작 조건 이후에는 해당 명령어
, 어드레스 , 특정 데이
터 비트들이
CLK 핀에 의해서 전송이 된다
3.2
테이터
입력 / 데이터 출력 (DI/DO)
Data In (DI) 핀과 Data Out (DO) 핀은 서로 연결이 가
능하다 .
그러나 이러한 연결 방법은
EEPROM 으로 부터 읽기
동작을 하는 과정에서
만약 A0 가 HIGH 레벨인 경우
“dummy zero” 를 발생 시켜 버스가 충돌 하는 현상이
발생 될 수 있다 . 따라서 이러한 조건에서
Data Out
(DO) 핀에서 나타나는 전압 레벨은 부정확 하게 되며
DO 핀상의 임피던스에 의존 하게 된다 .
이러한 현상은
EEPROM 의 핀에서 공급 하는 드라이
버 용량 보다 높은 전류가 소비 되는 결과를 초래 하며
따라서 이러한 전류를 제한 하기 위해서는 저항을
Data
In 핀과 Data Out 핀 사이에 연결 하여 주어야만 한다 .
3.3
데이터 프로텍션
‘93AAXX’ 와 ‘93LCXX’ EEPROM 들은 공급 되는 전압
(
Vcc) 레벨이 일반적으로 1.5V 이하로 내려 가면 모든
동작이 금지 되며
‘93CXX’ EEPROM 들은 3.8V 이하로
Vcc 가 내려 가면 모든 동작이 금지 된다 .
추가적으로
EWEN 와 EWDS 명령어들은 EEPROM 동
작시 오류로 인하여 잘못된 데이터가 라이팅 되는 것을
막아 주는 명령어이다 .
EEPROM으로 전원을 투입 하면 EEPROM은 자동적으
로
EWDS 모드로 들어 가므로
ERASE
혹은
WRITE
명
령을 사용 하기 위해서는 반드시
EWEN
명령이 먼저 수
행이 되어야 한다 .
블록 다이어그램
Note:
하나의 명령을 전송 하기 위하여
CS 핀이
HIGH 레벨 상태로 전환 되었을때 CLK 혹
은
DI 핀의 신호 레벨은 반드시 LOW 레벨
을 유지 하고 있어야 한다
.
Note:
잘못된 데이터가 라이팅 되는 것을 방지 하
기 위해서는 반드시 라이팅 동작 이후에는
EWDS 명령을 사용 하여야 하며 또한 CS
핀 외부에
10 k
Ω 풀 - 다운 보호 저항을 연
결 하여 주는 것이 좋다 .
Note:
93XX76C/86C EEPROM 인 경우 비 정상
적인 라이팅을 방지 하기 위해서는
PE 핀
을 반드시
LOW 레벨 상태로 만드는 것이
중요하다 .
DI
DO
CLK
CS
ORG*
PE**
I/O Control
Memory
Control
Logic
X
Dec
HV Generator
EEPROM
Array
Byte Latches
Y Decoder
Sense Amp.
R/W Control
Logic
V
CC
V
SS