1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
ULapproved(E83335)
暫定データ/PreliminaryData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 25A / I
CRM
= 50A
一般応用
TypicalApplications
•
•
3レベル アプリケーション
3-Level-Applications
•
•
ソーラーアプリケーション
SolarApplications
電気的特性
ElectricalFeatures
•
•
低インダクタンスデザイン
Lowinductivedesign
•
•
低スイッチング損失
LowSwitchingLosses
•
•
低V
CEsat
飽和電圧
LowV
CEsat
機械的特性
MechanicalFeatures
•
•
低熱インピーダンスのAl
2
O
3
DCB
Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
•
•
コンパクトデザイン
Compactdesign
•
•
PressFIT接合技術
PressFITContactTechnology
•
•
固定用クランプによる強固なマウンティング
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
1-5
ModuleMaterialNumber
6-11
ProductionOrderNumber
12-19
Datecode(ProductionYear)
20-21
Datecode(ProductionWeek)
22-23
2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
25
45
A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
50
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
P
tot
215
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,85
2,15
2,25
2,25
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
5,0
5,8
6,5
V
ゲート電荷量
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
0,20
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
1,45
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
0,05
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
100
nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 10
Ω
t
d on
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 10
Ω
t
r
0,014
0,018
0,019
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 10
Ω
t
d off
0,215
0,275
0,285
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 10
Ω
t
f
0,056
0,08
0,09
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 1600 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 10
Ω
E
on
0,30
0,50
0,56
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 2500 V/µs (T
vj
= 150°C)
R
Goff
= 10
Ω
E
off
1,00
1,40
1,50
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
短絡電流
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
90
A
T
vj
= 150°C
t
P
≤
10 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
R
thJC
0,65
0,70
K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,70
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
650
V
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
25
A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
50
A
電流二乗時間積
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
130
115
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
順電圧
Forwardvoltage
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,35
1,30
1,25
t.b.d.
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
I
RM
24,0
28,0
30,0
A
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
Q
r
1,20
1,60
1,65
µC
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
E
rec
0,22
0,32
0,39
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
R
thJC
1,10
1,20
K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,75
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 80°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
30
45
A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
P
tot
150
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
4,9
5,8
6,5
V
ゲート電荷量
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
100
nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 10
Ω
t
d on
0,028
0,028
0,028
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 10
Ω
t
r
0,01
0,013
0,014
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 10
Ω
t
d off
0,22
0,235
0,24
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 10
Ω
t
f
0,055
0,067
0,07
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 2200 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 10
Ω
E
on
0,47
0,63
0,70
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 4000 V/µs (T
vj
= 150°C)
R
Goff
= 10
Ω
E
off
0,82
1,00
1,10
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
短絡電流
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
210
150
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
t
P
≤
8 µs,
t
P
≤
6 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
R
thJC
0,90
1,00
K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,85
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
1200
V
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
25
A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
50
A
電流二乗時間積
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
90,0
75,0
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
順電圧
Forwardvoltage
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,75
1,75
1,75
2,25
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1850 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
I
RM
66,0
70,0
70,0
A
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1850 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
Q
r
1,75
3,50
4,00
µC
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1850 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
E
rec
0,63
1,10
1,15
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
R
thJC
0,95
1,05
K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,85
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
T
C
= 25°C
R
25
5,00
k
Ω
R100の偏差
DeviationofR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
∆
R/R
-5
5
%
損失
Powerdissipation
T
C
= 25°C
P
25
20,0
mW
B-定数
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/50
3375
K
B-定数
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/80
3411
K
B-定数
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F3L25R12W1T4_B27
IGBT-モジュール
IGBT-modules
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revision:2.0
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AI
2
O
3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
max.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
L
sCE
30
nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
T
C
=25°C,/スイッチ/perswitch
R
CC'+EE'
R
AA'+CC'
5,00
6,00
m
Ω
保存温度
Storagetemperature
T
stg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
質量
Weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
7
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暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
伝達特性IGBT,T1/T4(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=10
Ω
,R
Goff
=10
Ω
,V
CE
=350V
I
C
[A]
E [mJ]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
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暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=25A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
Z
thJH
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,078
0,0005
2
0,181
0,005
3
0,547
0,05
4
0,544
0,2
逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=10
Ω
,T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
I
C
, Modul
I
C
, Chip
順電圧特性ダイオード,D2/D3（typical)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
9
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暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=10
Ω
,V
CE
=350V
I
F
[A]
E [mJ]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
0,45
0,50
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=25A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
0,45
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
Z
thJH
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,344
0,0005
2
0,426
0,005
3
0,657
0,05
4
0,423
0,2
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0
10
20
30
40
50
60
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
10
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暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0
10
20
30
40
50
60
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
伝達特性IGBT,T2/T3(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
12
0
10
20
30
40
50
60
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=10
Ω
,R
Goff
=10
Ω
,V
CE
=350V
I
C
[A]
E [mJ]
0
10
20
30
40
50
60
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=30A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C