Datenblatt / Datasheet FP50R12KE3

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1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 80°C, T

vj max

 = 150°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150°C

I

C nom

I

C

50
75

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

100

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150

P

tot

280

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 50 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 50 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,70
2,00

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 2,00 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,0

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,47

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

4,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

3,50

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,13

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 18 

t

d on

 

0,09
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 18 

t

r

 

0,03
0,05

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 18 

t

d off

 

0,42
0,52

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 18 

t

f

 

0,07
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 45 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 18 

E

on

4,90
6,60

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 50 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 45 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 18 

E

off

4,00
5,80

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 900 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

200

 

A

 
T

vj

 = 125°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

0,45

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

50

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

100

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

I²t

690

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 50 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 50 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,65
1,65

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 50 A, - di

F

/dt = 1200 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

I

RM

51,0
50,0

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 50 A, - di

F

/dt = 1200 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

Q

r

6,20
12,0

 

µC
µC

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 50 A, - di

F

/dt = 1200 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

E

rec

2,10
4,40

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

0,75

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1600

 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip

MaximumRMSforwardcurrentperchip

T

C

 = 80°C

I

FRMSM

80

 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom

MaximumRMScurrentatrectifieroutput

T

C

 = 80°C

I

RMSM

115

 A

StoßstromGrenzwert

Surgeforwardcurrent

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I

FSM

500
400

 A

A

Grenzlastintegral

I²t-value

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

1250

800

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

T

vj

 = 150°C, I

F

 = 50 A

V

F

1,00

V

Schleusenspannung

Thresholdvoltage

T

vj

 = 150°C

V

TO

0,80

V

Ersatzwiderstand

Sloperesistance

T

vj

 = 150°C

r

T

6,00

m

Sperrstrom

Reversecurrent

T

vj

 = 150°C, V

R

 = 1600 V

I

R

3,00

mA

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

0,65

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 80°C, T

vj max

 = 150°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150°C

I

C nom

I

C

40
55

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

80

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150

P

tot

210

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 40 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 40 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,80
2,15

2,30

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 1,50 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,0

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,33

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

6,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

2,50

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,09

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 27 

t

d on

 

0,09
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 27 

t

r

 

0,03
0,05

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 27 

t

d off

 

0,42
0,52

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 27 

t

f

 

0,07
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = t.b.d. nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 27 

E

on

4,10
6,00

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 40 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = t.b.d. nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 27 

E

off

3,10
4,20

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 900 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

160

 

A

 
T

vj

 = 125°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

0,60

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

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dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

15

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

30

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

I²t

60,0

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 15 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 15 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,65
1,65

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

I

RM

16,0
15,0

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

Q

r

1,80
3,00

 

µC
µC

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

E

rec

0,55
1,10

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,50

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

Ratedresistance

T

C

 = 25°C

R

25

5,00

k

AbweichungvonR100

DeviationofR100

T

C

 = 100°C, R

100

 = 493 

R/R

-5

5

%

Verlustleistung

Powerdissipation

T

C

 = 25°C

P

25

20,0

mW

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/50

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/50

3375

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/80

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/80

t.b.d.

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/100

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/100

t.b.d.

K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V

ISOL

2,5

 kV

MaterialModulgrundplatte

Materialofmodulebaseplate

Cu

 

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)

AI

2

0

3

 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0

 

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

7,5

 

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex

CTI

> 225

 

min.

typ.

max.

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proModul/permodule

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,009

K/W

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule

L

sCE

60

nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-

Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip

T

C

=25°C,proSchalter/perswitch

R

CC'+EE'

R

AA'+CC'

4,00
2,00

m

Lagertemperatur

Storagetemperature

T

stg

-40

125

°C

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage

Mountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

3,00

-

6,00

Nm

Gewicht

Weight

G

300

g

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=125°C

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

V

GE

 = 19V

V

GE

 = 17V

V

GE

 = 15V

V

GE

 = 13V

V

GE

 = 11V

V

GE

 = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

 [V]

I

C

 [A]

5

6

7

8

9

10

11

12

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=18

,R

Goff

=18

,V

CE

=600V

I

C

 [A]

E [mJ]

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

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approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=50A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

2

4

6

8

10

12

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

Z

thJC

 : IGBT

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,05077   
0,002345   

2   
0,2032   
0,0282   

3   
0,1142   
0,1128   

4   
0,07893   
0,282   

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=18

,T

vj

=125°C

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

0

20

40

60

80

100

120

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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FP50R12KE3

IGBT-Module
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revision:3.1

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=18

,V

CE

=600V

I

F

 [A]

E [mJ]

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0

1

2

3

4

5

6

7

8

E

rec

, T

vj

 = 125°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(R

G

)

I

F

=50A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

1

2

3

4

5

6

7

8

E

rec

, T

vj

 = 125°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

Z

thJC

 : Diode

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,07637   
0,003333   

2   
0,4933   
0,03429   

3   
0,1421   
0,1294   

4   
0,04501   
0,7662   

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

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FP50R12KE3

IGBT-Module
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dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

T

C

 [°C]

R[

]

0

20

40

60

80

100

120

140

160

100

1000

10000

100000

R

typ

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-EN-html.html
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10

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KE3

IGBT-Module
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dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

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Infineon Technologies