Datenblatt / Datasheet FP25R12KT3

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1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 80°C, T

vj max

 = 150°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150°C

I

C nom

I

C

25
40

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

50

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150

P

tot

155

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 25 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 25 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,70
1,90

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 1,00 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,0

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,24

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

8,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

1,80

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,064

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 36 

t

d on

 

0,09
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 36 

t

r

 

0,03
0,05

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 36 

t

d off

 

0,42
0,52

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 36 

t

f

 

0,07
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 45 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 36 

E

on

2,40
3,50

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 25 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 45 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 36 

E

off

1,80
2,10

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 900 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

100

 

A

 
T

vj

 = 125°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

0,80

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

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approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

25

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

50

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

I²t

170

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 25 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 25 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,65
1,65

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 25 A, - di

F

/dt = 700 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

I

RM

26,0
24,0

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 25 A, - di

F

/dt = 700 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

Q

r

2,80
5,00

 

µC
µC

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 25 A, - di

F

/dt = 700 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

E

rec

0,90
1,80

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,35

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1600

 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip

MaximumRMSforwardcurrentperchip

T

C

 = 80°C

I

FRMSM

50

 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom

MaximumRMScurrentatrectifieroutput

T

C

 = 80°C

I

RMSM

60

 A

StoßstromGrenzwert

Surgeforwardcurrent

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I

FSM

315
260

 A

A

Grenzlastintegral

I²t-value

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

495
340

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

T

vj

 = 150°C, I

F

 = 25 A

V

F

1,05

V

Sperrstrom

Reversecurrent

T

vj

 = 150°C, V

R

 = 1600 V

I

R

2,00

mA

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,00

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 80°C, T

vj max

 = 150°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150°C

I

C nom

I

C

15
25

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

30

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 150

P

tot

105

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,70
1,90

2,15

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 0,50 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,0

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,15

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

1,10

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,04

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 75 

t

d on

 

0,09
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 75 

t

r

 

0,03
0,05

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 75 

t

d off

 

0,42
0,52

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 75 

t

f

 

0,07
0,09

 

µs
µs

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = t.b.d. nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 75 

E

on

1,50
2,10

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = t.b.d. nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 75 

E

off

1,10
1,30

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 900 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

60

 

A

 
T

vj

 = 125°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

1,20

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

10

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

20

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

I²t

20,0

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,80
1,85

2,25

 

V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

I

RM

14,0
15,0

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

Q

r

1,00
1,80

 

µC
µC

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 400 A/µs (T

vj

=125°C)

V

R

 = 600 V

E

rec

0,26
0,56

 

mJ
mJ

 

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

2,30

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

Ratedresistance

T

C

 = 25°C

R

25

5,00

k

AbweichungvonR100

DeviationofR100

T

C

 = 100°C, R

100

 = 493 

R/R

-5

5

%

Verlustleistung

Powerdissipation

T

C

 = 25°C

P

25

20,0

mW

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/50

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/50

3375

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/80

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/80

t.b.d.

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/100

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/100

t.b.d.

K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:AS
approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V

ISOL

2,5

 kV

MaterialModulgrundplatte

Materialofmodulebaseplate

Cu

 

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)

Al

2

0

3

 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0

 

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

7,5

 

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex

CTI

> 225

 

min.

typ.

max.

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proModul/permodule

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,02

K/W

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule

L

sCE

60

nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-

Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip

T

C

=25°C,proSchalter/perswitch

R

CC'+EE'

R

AA'+CC'

4,00
3,00

m

Lagertemperatur

Storagetemperature

T

stg

-40

125

°C

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage

Mountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

3,00

-

6,00

Nm

Gewicht

Weight

G

180

g

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6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

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approvedby:RS

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=125°C

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

V

GE

 = 19V

V

GE

 = 17V

V

GE

 = 15V

V

GE

 = 13V

V

GE

 = 11V

V

GE

 =   9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

 [V]

I

C

 [A]

5

6

7

8

9

10

11

12

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=36

,R

Goff

=36

,V

CE

=600V

I

C

 [A]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

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revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=25A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

10

20

30

40

50

60

70

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

Z

thJC

 : IGBT

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,09025   
0,002345   

2   
0,3612   
0,0282   

3   
0,2031   
0,1128   

4   
0,1403   
0,282   

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=36

,T

vj

=125°C

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

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IGBT-Module
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revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=36

,V

CE

=600V

I

F

 [A]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

E

rec

, T

vj

 = 125°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(R

G

)

I

F

=25A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

10

20

30

40

50

60

70

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

E

rec

, T

vj

 = 125°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

10

Z

thJC

 : Diode

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,1375   
0,003333   

2   
0,888   
0,03429   

3   
0,2558   
0,1294   

4   
0,08101   
0,7662   

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

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revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

5

10

15

20

25

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

5

10

15

20

25

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

T

C

 [°C]

R[

]

0

20

40

60

80

100

120

140

160

100

1000

10000

100000

R

typ

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10

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP25R12KT3

IGBT-Module
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revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

Maker
Infineon Technologies