Datenblatt / Datasheet FP15R12W1T4

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1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:DK
approvedby:MB

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.2

ULapproved(E83335)

EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

V

CES

 = 1200V

I

C nom

 = 15A / I

CRM

 = 30A

TypischeAnwendungen

TypicalApplications

Hilfsumrichter

AuxiliaryInverters

Klimaanlagen

AirConditioning

Motorantriebe

MotorDrives

ElektrischeEigenschaften

ElectricalFeatures

NiedrigeSchaltverluste

LowSwitchingLosses

TrenchIGBT4

TrenchIGBT4

V

CEsat

mitpositivemTemperaturkoeffizienten

V

CEsat

withpositiveTemperatureCoefficient

NiedrigesV

CEsat

LowV

CEsat

MechanischeEigenschaften

MechanicalFeatures

Al

2

O

3

 Substrat mit kleinem thermischen

Widerstand

Al

2

O

3

SubstratewithLowThermalResistance

KompaktesDesign

Compactdesign

Lötverbindungstechnik

SolderContactTechnology

Robuste Montage durch integrierte

Befestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

ModuleLabelCode

BarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber

1-5

ModuleMaterialNumber

6-11

ProductionOrderNumber

12-19

Datecode(ProductionYear)

20-21

Datecode(ProductionWeek)

22-23

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2

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:DK
approvedby:MB

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 100°C, T

vj max

 = 175°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

I

C nom

I

C

15
28

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

30

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175

P

tot

130

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,85
2,15
2,25

2,25

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 0,48 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,2

5,8

6,4

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,12

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

0,89

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,03

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 39 

t

d on

 

0,055
0,055
0,055

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 39 

t

r

 

0,059
0,065
0,065

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 39 

t

d off

 

0,195
0,275

0,28

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 39 

t

f

 

0,145

0,19

0,215

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V, di/dt = 550 A/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Gon

 = 39 

E

on

1,30
1,75
1,95

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Goff

 = 39 

E

off

0,83
1,20
1,35

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 800 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

55

 

A

 
T

vj

 = 150°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

1,05

1,15

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBT

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,05

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

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IGBT-Module
IGBT-modules

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VorläufigeDaten

PreliminaryData

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

15

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

30

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

16,0
14,0

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 15 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 15 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 15 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

2,00
2,10
2,10

2,65

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 550 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

I

RM

13,0
12,0
12,0

A
A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 550 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

Q

r

1,20
2,05
2,40

µC
µC
µC

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 15 A, - di

F

/dt = 550 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

V

GE

 = -15 V

E

rec

0,37
0,68
0,80

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,75

1,90

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,30

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1600

 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip

MaximumRMSforwardcurrentperchip

T

C

 = 80°C

I

FRMSM

30

 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom

MaximumRMScurrentatrectifieroutput

T

C

 = 80°C

I

RMSM

30

 A

StoßstromGrenzwert

Surgeforwardcurrent

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I

FSM

300
245

 A

A

Grenzlastintegral

I²t-value

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

450
300

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

T

vj

 = 150°C, I

F

 = 15 A

V

F

0,85

V

Sperrstrom

Reversecurrent

T

vj

 = 150°C, V

R

 = 1600 V

I

R

1,00

mA

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,20

1,35

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,15

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

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FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:DK
approvedby:MB

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

1200

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 100°C, T

vj max

 = 175°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

I

C nom

I

C

15
28

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

30

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175

P

tot

130

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 15 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,85
2,15
2,25

2,25

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 0,48 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

5,2

5,8

6,4

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,12

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

0,89

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,03

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 1200 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 43 

t

d on

 

0,065
0,065
0,065

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 43 

t

r

 

0,06

0,065
0,065

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 43 

t

d off

 

0,21
0,28

0,285

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 43 

t

f

 

0,17
0,20

0,225

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 43 

E

on

1,35
1,80
2,00

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 15 A, V

CE

 = 600 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 43 

E

off

0,85
1,20
1,35

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 800 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

 

55

 

A

 
T

vj

 = 150°C

 
t

P

 

 10 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

1,05

1,15

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBT

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,05

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP15R12W1T4-DS-v02_02-EN-html.html
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5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:DK
approvedby:MB

dateofpublication:2013-10-03
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

1200

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

10

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

20

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

I²t

16,0

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,75
1,75
1,75

2,25

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

I

RM

12,0
10,0
8,00

A
A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

Q

r

0,90
1,70
1,90

µC
µC
µC

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 600 V

E

rec

0,24
0,52
0,59

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,75

1,90

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,30

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

Ratedresistance

T

C

 = 25°C

R

25

5,00

k

AbweichungvonR100

DeviationofR100

T

C

 = 100°C, R

100

 = 493 

R/R

-5

5

%

Verlustleistung

Powerdissipation

T

C

 = 25°C

P

25

20,0

mW

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/50

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/50

3375

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/80

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/80

3411

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/100

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/100

3433

K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP15R12W1T4-DS-v02_02-EN-html.html
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6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

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revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V

ISOL

2,5

 kV

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)

AI

2

0

3

 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

11,5

6,3

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0

5,0

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex

CTI

> 200

 

min.

typ.

max.

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule

L

sCE

30

nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-

Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip

T

C

=25°C,proSchalter/perswitch

R

CC'+EE'

R

AA'+CC'

8,00
6,00

m

HöchstzulässigeSperrschichttemperatur

Maximumjunctiontemperature

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Gleichrichter/rectifier

T

vj max

175
150

°C
°C

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Gleichrichter/rectifier

T

vj op

-40
-40

150
150

°C
°C

Lagertemperatur

Storagetemperature

T

stg

-40

125

°C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp

F

20

-

50

N

Gewicht

Weight

G

24

g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP15R12W1T4-DS-v02_02-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP15R12W1T4

IGBT-Module
IGBT-modules

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revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=150°C

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

V

GE

 = 19 V

V

GE

 = 17 V

V

GE

 = 15 V

V

GE

 = 13 V

V

GE

 = 11 V

V

GE

 =   9 V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

 [V]

I

C

 [A]

5

6

7

8

9

10

11

12

13

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=39

,R

Goff

=39

,V

CE

=600V

I

C

 [A]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

0

1

2

3

4

5

6

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

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IGBT-Module
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VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=15A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

40

80

120 160 200 240 280 320 360 400

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0

9,0

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z

thJH

=f(t)

t [s]

Z

thJH

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,1

1

10

Z

thJH

 : IGBT

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,154   
0,0005   

2   
0,345   
0,005   

3   
0,865   
0,05   

4   
0,736   
0,2   

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=39

,T

vj

=150°C

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

33

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

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revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=39

,V

CE

=600V

I

F

 [A]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(R

G

)

I

F

=15A,V

CE

=600V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

40

80

120 160 200 240 280 320 360 400

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z

thJH

=f(t)

t [s]

Z

thJH

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,1

1

10

Z

thJH

 : Diode

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,404   
0,0005   

2   
0,664   
0,005   

3   
1,174   
0,05   

4   
0,808   
0,2   

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

0

5

10

15

20

25

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FP15R12W1T4-DS-v02_02-EN-html.html
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dateofpublication:2013-10-03
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

T

C

 [°C]

R[

]

0

20

40

60

80

100

120

140

160

100

1000

10000

100000

R

typ

Maker
Infineon Technologies