Datenblatt / Datasheet FB20R06W1E3_B11

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

ULapproved(E83335)

EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC

V

CES

 = 600V

I

C nom

 = 20A / I

CRM

 = 40A

TypischeAnwendungen

TypicalApplications

Hilfsumrichter

AuxiliaryInverters

Klimaanlagen

AirConditioning

Motorantriebe

MotorDrives

ElektrischeEigenschaften

ElectricalFeatures

NiedrigeSchaltverluste

LowSwitchingLosses

NiedrigesV

CEsat

LowV

CEsat

TrenchIGBT3

TrenchIGBT3

V

CEsat

mitpositivemTemperaturkoeffizienten

V

CEsat

withpositiveTemperatureCoefficient

MechanischeEigenschaften

MechanicalFeatures

Al

2

O

3

 Substrat mit kleinem thermischen

Widerstand

Al

2

O

3

SubstratewithLowThermalResistance

KompaktesDesign

Compactdesign

PressFITVerbindungstechnik

PressFITContactTechnology

Robuste Montage durch integrierte

Befestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

ModuleLabelCode

BarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber

1-5

ModuleMaterialNumber

6-11

ProductionOrderNumber

12-19

Datecode(ProductionYear)

20-21

Datecode(ProductionWeek)

22-23

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

2

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

600

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 95°C, T

vj max

 = 175°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

I

C nom

I

C

20
29

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

40

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

P

tot

94,0

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,55
1,70
1,80

2,00

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 0,29 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

4,9

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,20

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

1,10

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,034

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 600 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 18 

t

d on

 

0,02
0,02
0,02

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 18 

t

r

 

0,013
0,016
0,017

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 18 

t

d off

 

0,12
0,14
0,15

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 18 

t

f

 

0,07

0,095

0,10

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Gon

 = 18 

E

on

0,32
0,44
0,49

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Goff

 = 18 

E

off

0,44
0,56
0,59

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 360 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

140
100

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

t

P

 

 8 µs, 

t

P

 

 6 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

1,45

1,60

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBT

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,25

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

3

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

600

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

20

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

40

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

49,0
45,0

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 20 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 20 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 20 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,60
1,55
1,50

2,00

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 20 A, - di

F

/dt = 1800 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

I

RM

34,0
38,0
40,0

A
A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 20 A, - di

F

/dt = 1800 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

Q

r

1,00
1,75
2,20

µC
µC
µC

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 20 A, - di

F

/dt = 1800 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

E

rec

0,21
0,37
0,47

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

1,95

2,15

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,35

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

800

 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip

MaximumRMSforwardcurrentperchip

T

C

 = 80°C

I

FRMSM

50

 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom

MaximumRMScurrentatrectifieroutput

T

C

 = 80°C

I

RMSM

60

 A

StoßstromGrenzwert

Surgeforwardcurrent

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I

FSM

450
360

 A

A

Grenzlastintegral

I²t-value

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 25°C

t

p

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

1000

640

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

T

vj

 = 150°C, I

F

 = 20 A

V

F

0,85

V

Sperrstrom

Reversecurrent

T

vj

 = 150°C, V

R

 = 800 V

I

R

0,10

mA

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

0,95

1,05

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,95

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

4

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

600

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 95°C, T

vj max

 = 175°C

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

I

C nom

I

C

20
29

 A

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

40

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

P

tot

94,0

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 20 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,55
1,70
1,80

2,00

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 0,29 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

4,9

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,20

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

1,10

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,034

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 600 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 30 

t

d on

 

0,03
0,03
0,03

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 30 

t

r

 

0,022
0,028

0,03

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 30 

t

d off

 

0,20
0,24
0,25

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 30 

t

f

 

0,07
0,11
0,12

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 30 

E

on

0,45
0,55
0,60

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 20 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 50 nH

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 30 

E

off

0,50
0,56
0,60

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 360 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

140
100

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

t

P

 

 8 µs, 

t

P

 

 6 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

1,45

1,60

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBT

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,25

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

600

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

10

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

20

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

12,5
9,50

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 10 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,60
1,55
1,50

2,00

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

I

RM

18,0
19,0
21,0

A
A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

Q

r

0,50
0,85
1,10

µC
µC
µC

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 10 A, - di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

E

rec

0,11
0,20
0,26

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

2,90

3,20

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

1,40

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

Ratedresistance

T

C

 = 25°C

R

25

5,00

k

AbweichungvonR100

DeviationofR100

T

C

 = 100°C, R

100

 = 493 

R/R

-5

5

%

Verlustleistung

Powerdissipation

T

C

 = 25°C

P

25

20,0

mW

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/50

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/50

3375

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/80

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/80

3411

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/100

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/100

3433

K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V

ISOL

2,5

 kV

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)

Al

2

O

3

 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

11,5

6,3

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0

5,0

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex

CTI

> 200

 

min.

typ.

max.

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule

L

sCE

30

nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-

Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip

T

C

=25°C,proSchalter/perswitch

R

CC'+EE'

R

AA'+CC'

8,00
4,00

m

Lagertemperatur

Storagetemperature

T

stg

-40

125

°C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp

F

20

-

50

N

Gewicht

Weight

G

24

g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

7

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,3

0,6

0,9

1,2

1,5

1,8

2,1

2,4

2,7

3,0

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=150°C

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

V

GE

 = 19 V

V

GE

 = 17 V

V

GE

 = 15 V

V

GE

 = 13 V

V

GE

 = 11 V

V

GE

 = 9 V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

 [V]

I

C

 [A]

5

6

7

8

9

10

11

12

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=18

,R

Goff

=18

,V

CE

=300V

I

C

 [A]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

8

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=20A,V

CE

=300V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200

0,0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z

thJH

=f(t)

t [s]

Z

thJH

  [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,1

1

10

Z

thJH

  : IGBT

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,1901   
0,0005   

2   
0,4681   
0,005   

3   
1,003   
0,05   

4   
1,039   
0,2   

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=18

,T

vj

=150°C

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0

200

400

600

800

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

44

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

9

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=18

,V

CE

=300V

I

F

 [A]

E [mJ]

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(R

G

)

I

F

=20A,V

CE

=300V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z

thJH

=f(t)

t [s]

Z

thJH

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,1

1

10

Z

thJH

 : Diode

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,3013   
0,0005   

2   
0,7006   
0,005   

3   
1,3873   
0,05   

4   
0,9109   
0,2   

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-FB20R06W1E3_B11-DS-v03_00-EN-html.html
background image

10

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FB20R06W1E3_B11

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:MB

dateofpublication:2013-11-25
revision:3.0

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0,0

0,3

0,6

0,9

1,2

1,5

1,8

2,1

2,4

2,7

3,0

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

T

C

 [°C]

R[

]

0

20

40

60

80

100

120

140

160

100

1000

10000

100000

R

typ

Maker
Infineon Technologies