Datenblatt / Datasheet F5-75R06KE3_B5

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1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

ULapproved(E83335)

EconoPACK™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC
EconoPACK™3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

V

CES

 = 600V

I

C nom

 = 75A / I

CRM

 = 150A

TypischeAnwendungen

TypicalApplications

SolarAnwendungen

SolarApplications

ElektrischeEigenschaften

ElectricalFeatures

TrenchIGBT3

TrenchIGBT3

NiedrigesV

CEsat

LowV

CEsat

MechanischeEigenschaften

MechanicalFeatures

IntegrierterNTCTemperaturSensor

IntegratedNTCtemperaturesensor

Kupferbodenplatte

CopperBasePlate

PressFITVerbindungstechnik

PressFITContactTechnology

ModuleLabelCode

BarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber

1-5

ModuleMaterialNumber

6-11

ProductionOrderNumber

12-19

Datecode(ProductionYear)

20-21

Datecode(ProductionWeek)

22-23

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2

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

T

vj

 = 25°C

V

CES

600

 V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

T

C

 = 80°C, T

vj max

 = 175°C

I

C nom

75

 A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

t

P

 = 1 ms

I

CRM

150

 A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C, T

vj max

 = 175°C

P

tot

250

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

V

GES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

I

C

 = 75 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 75 A, V

GE

 = 15 V

I

C

 = 75 A, V

GE

 = 15 V

V

CE sat

 
 

1,45
1,60
1,70

1,90

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

C

 = 1,20 mA, V

CE

 = V

GE

, T

vj

 = 25°C

V

GEth

4,9

5,8

6,5

V

Gateladung

Gatecharge

V

GE

 = -15 V ... +15 V

Q

G

0,80

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

0,0

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

ies

4,60

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

CE

 = 25 V, V

GE

 = 0 V

C

res

0,145

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

V

CE

 = 600 V, V

GE

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

CES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

V

CE

 = 0 V, V

GE

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GES

100

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 5,1 

t

d on

 

0,025
0,025
0,025

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Gon

 = 5,1 

t

r

 

0,02
0,02
0,02

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 5,1 

t

d off

 

0,21
0,24
0,25

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V

V

GE

 = ±15 V

R

Goff

 = 5,1 

t

f

 

0,06
0,07
0,07

µs
µs
µs

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 30 nH

V

GE

 = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Gon

 = 5,1 

E

on

0,35
0,50
0,60

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

C

 = 75 A, V

CE

 = 300 V, L

S

 = 30 nH

V

GE

 = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T

vj

 = 150°C)

R

Goff

 = 5,1 

E

off

2,40
2,80
3,00

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

V

GE

 

 15 V, V

CC

 = 360 V 

V

CEmax

 = V

CES

 -L

sCE

 ·di/dt

I

SC

530
380

A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 150°C

t

P

 

 8 µs, 

t

P

 

 6 µs, 

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

R

thJC

0,60

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBT

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,21

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

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3

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage

T

vj

 = 25°C

V

RRM

600

 V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent

I

F

75

 A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent

t

P

 = 1 ms

I

FRM

150

 A

Grenzlastintegral

I²t-value

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 125°C

V

R

 = 0 V, t

P

 = 10 ms, T

vj

 = 150°C

I²t

660
610

 A²s

A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

F

 = 75 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 75 A, V

GE

 = 0 V

I

F

 = 75 A, V

GE

 = 0 V

V

F

 
 

1,55
1,50
1,45

1,95

 

V
V
V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent

I

F

 = 75 A, - di

F

/dt = 4000 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

I

RM

100
115
125

A
A
A

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge

I

F

 = 75 A, - di

F

/dt = 4000 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

Q

r

3,00
6,00
7,50

µC
µC
µC

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy

I

F

 = 75 A, - di

F

/dt = 4000 A/µs (T

vj

=150°C)

V

R

 = 300 V

V

GE

 = -15 V

E

rec

0,95
1,50
1,85

mJ
mJ
mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

R

thJC

0,95

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proDiode/perdiode

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,33

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

150

°C

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

MOSFET/MOSFET

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Drain-Source-Sperrspannung

Drain-sourcebreakdownvoltage

T

vj

 = 25°C

V

DSS

600

V

Drain-Gleichstrom

DCdraincurrent

T

C

 = 80°C

T

C

 = 25°C

I

D nom

I

D

70
80

A
A

GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch

Tjmax

Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax

I

D puls

210

A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C

P

tot

1200

W

Gate-Source-Spitzenspannung

Gate-sourcepeakvoltage

V

GSS

+/-20

V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Einschaltwiderstand

Drain-sourceonresistance

I

D

 = 70 A, V

GS

 = 10 V, T

vj

 = 25°C

R

DS on

22,0

m

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

D

 = 9,00 mA, V

DS

 = V

GS

, T

vj

 = 25°C

V

GS(th)

3,00

4,00

5,00

V

Gateladung

Gatecharge

V

GS

 = 10 V, V

DD

= 480 V

Q

G

0,25

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

1,3

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

iss

23,0

nF

Ausgangskapazität

Outputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

oss

6,60

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

rss

0,23

nF

Drain-Source-Reststrom

Zerogatevoltagedraincurrent

V

DS

 = 600 V, V

GS

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

DSS

100

µA

Gate-Source-Reststrom

Gate-sourceleakagecurrent

V

DS

 = 0 V, V

GS

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GSS

0,10

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turnondelaytime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

t

d on

0,18
0,17

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

t

r

0,075
0,075

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turnoffdelaytime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

t

d off

0,50
0,53

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

t

f

0,03

0,035

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V, L

σ

 = 30 nH

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

E

on

1,90

mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V, L

σ

 = 30 nH

V

GS

 = 10 V

R

G

 = 10,0 

E

off

1,05

mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

R

thJC

0,12

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

pro MOS-FET / per MOS-FET

λ

Paste

 = 1 W/(m*K) /

λ

grease

 = 1 W/(m*K)

R

thCH

0,042

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

Revers-Diode/reverse-diode

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

S

 = 70 A, V

GS

 = 0 V

I

S

 = 70 A, V

GS

 = 0 V

V

SD

 
 

0,80
0,70

1,10

 

V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-F5-75R06KE3_B5-DS-v02_02-EN-html.html
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5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

MOSFETOVP-Zweig/MOSFETOVP-Path

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Drain-Source-Sperrspannung

Drain-sourcebreakdownvoltage

T

vj

 = 25°C

V

DSS

600

V

Drain-Gleichstrom

DCdraincurrent

T

C

 = 80°C

T

C

 = 25°C

I

D nom

I

D

70
80

A
A

GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch

Tjmax

Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax

I

D puls

210

A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

T

C

 = 25°C

P

tot

1200

W

Gate-Source-Spitzenspannung

Gate-sourcepeakvoltage

V

GSS

+/-20

V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Einschaltwiderstand

Drain-sourceonresistance

I

D

 = 70 A, V

GS

 = 10 V, T

vj

 = 25°C

R

DS on

12,5

m

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

I

D

 = 9,00 mA, V

DS

 = V

GS

, T

vj

 = 25°C

V

GS(th)

2,50

3,00

3,50

V

Gateladung

Gatecharge

V

GS

 = 10 V, V

DD

= 400 V

Q

G

0,45

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

T

vj

 = 25°C

R

Gint

1,3

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

iss

21,0

nF

Ausgangskapazität

Outputcapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

oss

45,0

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, T

vj

 = 25°C, V

DS

 = 25 V, V

GS

 = 0 V

C

rss

0,90

nF

Drain-Source-Reststrom

Zerogatevoltagedraincurrent

V

DS

 = 600 V, V

GS

 = 0 V, T

vj

 = 25°C

I

DSS

100

µA

Gate-Source-Reststrom

Gate-sourceleakagecurrent

V

DS

 = 0 V, V

GS

 = 20 V, T

vj

 = 25°C

I

GSS

0,10

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turnondelaytime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

R

G

 = 10,0 

t

d on

0,03

0,035

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

R

G

 = 10,0 

t

r

0,02
0,02

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turnoffdelaytime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

R

G

 = 10,0 

t

d off

0,10
0,11

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V

R

G

 = 10,0 

t

f

0,01

0,015

ns

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V, L

σ

 = 30 nH

R

G

 = 10,0 

E

on

1,20

mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

I

D

 = 70 A, V

DS

 = 400 V, L

σ

 = 30 nH

R

G

 = 10,0 

E

off

0,80

mJ

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase

R

thJC

0,12

K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

pro MOS-FET / per MOS-FET

λ

Paste

 = 1 W/(m*K) /

λ

grease

 = 1 W/(m*K)

R

thCH

0,042

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

T

vj op

-40

125

°C

Revers-Diode/reverse-diode

min.

typ.

max.

Durchlassspannung

Forwardvoltage

I

S

 = 70 A, V

GS

 = 0 V

I

S

 = 70 A, V

GS

 = 0 V

V

SD

 
 

0,90
1,10

1,20

 

V

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-F5-75R06KE3_B5-DS-v02_02-EN-html.html
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6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F5-75R06KE3_B5

IGBT-Module
IGBT-modules

preparedby:CM
approvedby:RS

dateofpublication:2013-11-04
revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

Ratedresistance

T

C

 = 25°C

R

25

5,00

k

AbweichungvonR100

DeviationofR100

T

C

 = 100°C, R

100

 = 493 

R/R

-5

5

%

Verlustleistung

Powerdissipation

T

C

 = 25°C

P

25

20,0

mW

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/50

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/50

3375

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/80

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/80

3411

K

B-Wert

B-value

R

2

 = R

25

 exp [B

25/100

(1/T

2

 - 1/(298,15 K))]

B

25/100

3433

K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V

ISOL

2,5

 kV

MaterialModulgrundplatte

Materialofmodulebaseplate

Cu

 

InnereIsolation

Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)

basicinsulation(class1,IEC61140)

Al

2

O

3

 

Kriechstrecke

Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0

 

 mm

Luftstrecke

Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

7,5

 

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex

CTI

> 200

 

min.

typ.

max.

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink

proModul/permodule

λ

Paste

=1W/(m·K)/

λ

grease

=1W/(m·K)

R

thCH

0,009

K/W

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule

L

sCE

30

nH

HöchstzulässigeSperrschichttemperatur

Maximumjunctiontemperature

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

MOSFET

T

vj max

175
150

°C
°C

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

MOSFET

T

vj op

-40
-40

150
125

°C
°C

Lagertemperatur

Storagetemperature

T

stg

-40

125

°C

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage

Mountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

3,00

-

6,00

Nm

Gewicht

Weight

G

300

g

NTC-Widerstand/NTC-thermistor:  KG3B-35-5E3Z

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

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IGBT-Module
IGBT-modules

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revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=150°C

V

CE

 [V]

I

C

 [A]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

V

GE

 = 19 V

V

GE

 = 17V

V

GE

 = 15V

V

GE

 = 13V

V

GE

 = 11V

V

GE

 =  9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

 [V]

I

C

 [A]

5

6

7

8

9

10

11

12

0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=5.1

,R

Goff

=5.1

,V

CE

=300V

I

C

 [A]

E [mJ]

0

15

30

45

60

75

90

105 120 135 150

0

1

2

3

4

5

6

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-F5-75R06KE3_B5-DS-v02_02-EN-html.html
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TechnischeInformation/TechnicalInformation

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VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=75A,V

CE

=300V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0

1

2

3

4

5

6

E

on

, T

vj

 = 125°C

E

off

, T

vj

 = 125°C

E

on

, T

vj

 = 150°C

E

off

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

Z

thJC

 : IGBT

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,036   
0,01   

2   
0,198   
0,02   

3   
0,192   
0,05   

4   
0,174   
0,1   

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=5.1

,T

vj

=150°C

V

CE

  [V]

I

C

 [A]

0

200

400

600

800

0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I

F

=f(V

F

)

V

F

 [V]

I

F

 [A]

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

T

vj

 = 25°C

T

vj

 = 125°C

T

vj

 = 150°C

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-F5-75R06KE3_B5-DS-v02_02-EN-html.html
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VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=5.1

,V

CE

=300V

I

F

 [A]

E [mJ]

0

15

30

45

60

75

90

105 120 135 150

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E

rec

=f(R

G

)

I

F

=75A,V

CE

=300V

R

G

 [

]

E [mJ]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

E

rec

, T

vj

 = 125°C

E

rec

, T

vj

 = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,01

0,1

1

Z

thJC

 : Diode

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,057   
0,01   

2   
0,3135   
0,02   

3   
0,304   
0,05   

4   
0,2755   
0,1   

SichererArbeitsbereichMOSFET(SOA)
safeoperatingareaMOSFET(SOA)
I

D

=f(V

DS

)

V

GS

=±15V,T

c

=25°C

V

DS

 [V]

I

D

 [A]

1

10

100

1000

0,1

1

10

100

1000

t

P

 = 100µs

t

P

 = 10ms

DC

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-F5-75R06KE3_B5-DS-v02_02-EN-html.html
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revision:2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,001

0,01

0,1

1

Z

th

: Mosfet

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,0072   
0,01   

2   
0,0396   
0,02   

3   
0,0384   
0,05   

4   
0,0348   
0,1   

AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
I

D

=f(V

DS

)

T

vj

=125°C

V

DS

 [V]

I

D

 [A]

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

V

GS

 = 20V

V

GS

 = 10V

V

GS

 = 8V

V

GS

 = 7V

V

GS

 = 6,5V

V

GS

 = 6V

SichererArbeitsbereichMOSFETOVP-Zweig(SOA)
safeoperatingareaMOSFETOVP-Path(SOA)
I

D

=f(V

DS

)

V

GS

=±15V,T

c

=25°C

V

DS

 [V]

I

D

 [A]

1

10

100

1000

0,1

1

10

100

1000

t

P

 = 100µs

t

P

 = 10ms

DC

TransienterWärmewiderstandMOSFETOVP-Zweig
transientthermalimpedanceMOSFETOVP-Path
Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

 [K/W]

0,001

0,01

0,1

1

10

0,001

0,01

0,1

1

Z

th

: Mosfet

i:   
r

i

[K/W]:   

τ

i

[s]:   

1   
0,0072   
0,01   

2   
0,0396   
0,02   

3   
0,0384   
0,05   

4   
0,0348   
0,1   

Maker
Infineon Technologies