1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
ULapproved(E83335)
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 15A / I
CRM
= 30A
TypischeAnwendungen
TypicalApplications
•
•
3-Level-Applikationen
3-Level-Applications
•
•
SolarAnwendungen
SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
ElectricalFeatures
•
•
NiederinduktivesDesign
Lowinductivedesign
•
•
NiedrigeSchaltverluste
LowSwitchingLosses
•
•
NiedrigesV
CEsat
LowV
CEsat
MechanischeEigenschaften
MechanicalFeatures
•
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
•
•
KompaktesDesign
Compactdesign
•
•
PressFITVerbindungstechnik
PressFITContactTechnology
•
•
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
1-5
ModuleMaterialNumber
6-11
ProductionOrderNumber
12-19
Datecode(ProductionYear)
20-21
Datecode(ProductionWeek)
22-23
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
15
20
A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
P
tot
145
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
I
C
= 0,50 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
5,0
5,8
6,5
V
Gateladung
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
0,075
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
0,875
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
0,045
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
100
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 35
Ω
t
d on
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 35
Ω
t
r
0,025
0,026
0,027
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 35
Ω
t
d off
0,27
0,31
0,32
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 35
Ω
t
f
0,02
0,03
0,035
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 700 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 35
Ω
E
on
0,40
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 2800 V/µs (T
vj
= 150°C)
R
Goff
= 35
Ω
E
off
0,37
0,53
0,54
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
48
A
T
vj
= 150°C
t
P
≤
10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
R
thJC
0,95
1,05
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,80
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
1200
V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
15
A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
50
A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
40,0
34,0
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,75
1,75
1,75
2,15
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
I
RM
36,0
38,0
38,0
A
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
Q
r
1,05
2,10
2,40
µC
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
E
rec
0,40
0,66
0,70
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
R
thJC
1,30
1,45
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
1,05
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,3-Level/IGBT,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
650
V
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
I
CN
30
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
15
25
A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
P
tot
150
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,20
1,25
1,25
1,45
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
4,9
5,8
6,5
V
Gateladung
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
100
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 15
Ω
t
d on
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 15
Ω
t
r
0,01
0,012
0,013
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 15
Ω
t
d off
0,34
0,38
0,39
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 15
Ω
t
f
0,045
0,07
0,075
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 1300 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 15
Ω
E
on
0,19
0,26
0,28
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 2600 V/µs (T
vj
= 150°C)
R
Goff
= 15
Ω
E
off
0,47
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
210
150
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
t
P
≤
8 µs,
t
P
≤
6 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
R
thJC
0,90
1,00
K/W
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,85
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
Diode,3-Level/Diode,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
650
V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
15
A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
30
A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
32,0
28,0
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,45
1,35
1,30
t.b.d.
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
I
RM
13,0
15,0
16,0
A
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
Q
r
0,60
1,00
1,15
µC
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 15 A, - di
F
/dt = 700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 350 V
E
rec
0,12
0,18
0,22
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
R
thJC
1,95
2,15
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
1,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
T
C
= 25°C
R
25
5,00
k
Ω
AbweichungvonR100
DeviationofR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
∆
R/R
-5
5
%
Verlustleistung
Powerdissipation
T
C
= 25°C
P
25
20,0
mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CM
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
13,5
7,5
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
12,0
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
max.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
L
sCE
25
nH
Lagertemperatur
Storagetemperature
T
stg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
Gewicht
Weight
G
36
g
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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IGBT-Module
IGBT-modules
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dateofpublication:2013-11-25
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=35
Ω
,R
Goff
=35
Ω
,V
CE
=350V
I
C
[A]
E [mJ]
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=15A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
Z
thJH
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,129
0,0005
2
0,286
0,005
3
0,718
0,05
4
0,617
0,2
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=35
Ω
,T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=15
Ω
,V
CE
=350V
I
F
[A]
E [mJ]
0
5
10
15
20
25
30
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=15A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJH
=f(t)
t [s]
Z
thJH
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
Z
thJH
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,312
0,0005
2
0,512
0,005
3
0,904
0,05
4
0,622
0,2
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
1,50
1,75
2,00
0,0
2,5
5,0
7,5
10,0
12,5
15,0
17,5
20,0
22,5
25,0
27,5
30,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0
5
10
15
20
25
30
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch)
transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=15
Ω
,R
Goff
=15
Ω
,V
CE
=350V
I
C
[A]
E [mJ]
0
5
10
15
20
25
30
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=15A,V
CE
=350V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
1,50
1,75
2,00
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C