CFY 77-10

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

1 of 6 

Target DATASHEET 

HiRel L- and S-Band GaAs General Purpose Amplifier

 

  HiRel Discrete and Microwave Semiconductor 

  Single-stage monolithic microwave IC                            

(MMIC-amplifier ) 

  Application range: 100 MHz to 3 GHz 

  Gain: 9.5 dB typ. @ 1.8 GHz 

  Low noise figure: 2.7 dB typ. @ 1.8 GHz 

  Bandwidth: 3 GHz typ. @ -3 dB, VSWR < 2 : 1  *  

Operating voltage range: 3 to 5.5 V 

  Input and output matched to 50   

  Individual current control with neg. gate bias 

  Hermetically sealed ceramic package micro-x 

 
ESD: 

Electrostatic discharge sensitive device, 

 

observe handling precautions! 

 

 
 
 
 

 

 

 

 
 
 

Type 

Marking 

Ordering Code  Circuit Diagram 

(Pin Configuration) 

Package 

CGY41 (ql) 

see below 

 

Micro-X 

 

 (ql) Quality Level:  

P: Professional Quality,  

Ordering Code: 

on request 

 

 

H: High Rel Quality,  

Ordering Code: 

on request 

 

 

S: Space Quality,  

Ordering Code:  

on request 

 

(see order instructions for ordering example) 

 
 
 

1

2

3

4

 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

2 of 6 

Target DATASHEET 

 

Maximum ratings 

Symbol 

Value 

Unit 

Drain-voltage 

V

D

 

5.5 

Gate-voltage 

V

G

 

-4 ... 0.5 

Drain-gate voltage 

V

DG

 

9.5 

RF Input power 

1)

 

P

RFIN

 

16 

dBm 

Channel temperature 

T

Ch

 

175 

°C 

Storage temperature range 

T

stg

 

-55...+175 

°C 

Total power dissipation (T

S

 < 82°C) 

2)

 

P

tot

 

440 

mW 

Thermal resistance 

 

 

 

Channel-soldering point 

2)

 

R

thChS

 

160 

K/W 

 
Notes:
 Exceeding any of the max. ratings may cause permanent damage to the device. Appropriate 
handling is required to protect the electrostatic sensitive MMIC against degradation due to excess 
voltage or current spikes. Proper ground connection of leads 2 and 4 ( with min. inductance ) is required 
to achieve the guaranteed RF performance, stable operating conditions and adequate cooling. 

1)  @ V

D

 > 4.5 V derating required. 

2)  Ts is measured on the source lead at the soldering point to the PCB. 

 

 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

3 of 6 

Target DATASHEET 

Electrical Characteristics 

T

A

 = 25 °C,    V

G

 = 0 V,    V

D

 = 4.5 V,    R

S

 = R

L

 = 50 

Ω unless otherwise specified 

(for application circuit see next page) 

 

Characteristics 

Symbol 

min 

typ 

max 

Unit 

Drain current 
 

I

DSS

 

40 

60 

80 

mA 

Power gain 
f = 200 MHz 
f = 1800 MHz 

 

9.5 
8.5 

 

10.5 

9.5 

 

13 
11 

dB 

Gain flatness 
f = 200 to 1000 MHz 
f = 800 to 1800 MHz 

GF 

 


 

0.4 
1.1 

 

dB 

Noise figure 

f = 200 to 1000 MHz 
f = 800 to 1800 MHz 

 

 

2.5 

2.7 

 

4.0 

dB 

Input return loss 

f = 200 to 1000 MHz 
f = 800 to 1800 MHz 

RL

IN

 

 
 


 
 

13 
12 

 
 

9.5 

dB 

Output return loss 

f = 200 to 1000 MHz 
f = 800 to 1800 MHz 

RL

OUT

 

 

 

12 

12 

 

9.5 

dB 

Third order intercept point 

Two tone intermodulation test 

f

1

 = 806 MHz, f

2

 = 810 MHz 

P

0

 = 10 dBm ( both carriers ) 

IP3 

 
 
 

31 

 
 
 

32 

 
 
 

dBm 

1dB gain compression 

f = 200 to 1800 MHz 

P

1 dB

 

 

 

18 

 

dBm 

 
 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

4 of 6 

Target DATASHEET 

Application Circuit ( f = 800 to 1800 MHz ) 

 
 

CGY41

50 Ohm Microstripline

Input

50Ohm

Output

50Ohm

3

2

V

D

1

V

G

1

L

C

C

3

L

2

2

C

C

4

4

1

D

L

3

 

 
 
 
 

Legend of components 
 
 

C

1

 , C

C

3

 , C

4

 

Chip capacitors 100 pF 
Chip capacitors 1 nF 

 L

1

  

For optimized input matching 
- discrete inductor: approx. 3nH, or 
- printed microstripline inductor: Z approx. 100 

 

   l

e

  approx. 5 mm 

L

2

, L

3

 

- discrete inductor: approx. 40 nH, as e.g. 5 turns 0.25 mm copper 
   wire on nylon rod with M3-thread, or 
- printed microstripline inductor 

 Z diode 5.6 V ( type BZW 22 C5 V 6 ) 

 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

5 of 6 

Target DATASHEET 

Total Power Dissipation P

tot

 = f (T

S

;T

A

 

0

  0                    50                 100
150

A

S

tot

P

T

T

;

[ °C ]

[ mW ]

A

T

S

T

100

200

300

400

500

 

 
 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/Infineon-CGY41-DS-v01_01-en-html.html
background image

 

 

 

CGY41 

 

IFAG IMM RPD D 

6 of 6 

Target DATASHEET 

Micro-X Package 

 

 

Edition 2011-02

 

Published by 

Infineon Technologies AG 

85579 Neubiberg, Germany 

© Infineon Technologies AG 2011 

All Rights Reserved. 

 

 

 

 

 

Attention please! 

The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of 
conditions or characteristics 

(“Beschaffenheitsgarantie“). With respect to any examples or 

hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the 
application of the device, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and 
liabilities of any kind, including without limitation warranties of non-infringement of intellectual 
property rights of an third party. 

 

Information 

For further information on technology, delivery terms and conditions and prices please contact 
your nearest Infineon Technologies Office (www.infineon.com). 

 

Warnings 

Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For 
information on the types in question please contact your nearest Infineon Technologies Office. 

Infineon Technologies Components may only be used in life-support devices or systems with 
the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can 
reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect 
the safety or effectiveness of that device or system. 

Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body, or to support 
and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume 
that the health of the user or other persons may be endangered. 

1

2

3

4

 

Maker
Infineon Technologies
Datasheet PDF Download