AUIRF7484Q Product Datasheet

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

V

DSS 

40V 

R

DS(on)

   max. 

10m



I

D  

14A 

Description 
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe 
Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest 
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon 
area. This benefit combined with the fast switching speed and 
ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are 
well known for, provides the designer with an extremely efficient 
and reliable device for use in Automotive and a wide variety of 
other applications. 

Features 

  Advanced Planar Technology 

 Low 

On-Resistance 

  150°C Operating Temperature 

 Fast Switching 
  Fully Avalanche Rated 

  Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 

  Lead-Free, RoHS Compliant 

  Automotive Qualified *  

 

2015-11-16 

HEXFET® is a registered trademark of Infineon. 
*Qualification standards can be found at 

www.infineon.com

 

 

AUTOMOTIVE GRADE 

Symbol Parameter 

Max. 

Units 

I

D

 @ T

A

 = 25°C 

Continuous Drain Current 

14 

I

D

 @ T

A

 = 70°C 

Continuous Drain Current 

11 

I

DM 

Pulsed Drain Current  110 

P

D

 @T

A

 = 25°C 

Maximum Power Dissipation   2.5 

  

Linear Derating Factor 

0.02 

W/°C 

V

GS 

Gate-to-Source Voltage 

 ± 8.0 

E

AS  

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  230 

mJ  

I

AR 

Avalanche Current  

See Fig.19,20, 16b, 16c   

E

AR 

Repetitive Avalanche Energy  

 

mJ 

T

J  

Operating Junction and 

-55  to + 150 

°C 

T

STG 

Storage Temperature Range 

  

Absolute Maximum Ratings 

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.   These are stress 
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not 
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance 
and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless 
otherwise specified. 

Thermal Resistance  

Symbol Parameter 

Typ. 

Max. 

Units 

°C/W   

R

JL

 

Junction-to-Drain Lead 

––– 

20 

R

JA

  

Junction-to-Ambient  ––– 

50 

SO-8 

AUIRF7484Q 

Base part number 

Package Type 

Standard Pack 

Orderable Part Number   

Form 

Quantity 

AUIRF7484Q 

SO-8 

Tape and Reel  

4000 

AUIRF7484QTR 

G D S 

Gate Drain Source 

HEXFET

® 

Power MOSFET 

Top View

8

1

2

3

4

5

6

7

D

D

D

D

G

S

A

S

S

A

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

Notes:

  Repetitive rating;  pulse width limited by max. junction temperature.  

 Pulse width 

400µs; duty cycle  2%. 

  Surface mounted on 1" in square Cu board.  

 Starting T

J

 = 25°C, L = 2.3mH, R

G

 = 25

, I

AS

 = 14A. (See Fig. 12) 

  Limited by T

Jmax

 , see Fig.16b, 16c, 19, 20 for typical repetitive avalanche performance. 

Static @ T

J

 = 25°C (unless otherwise specified) 

  

Parameter Min. 

Typ. 

Max. 

Units 

Conditions 

V

(BR)DSS 

Drain-to-Source Breakdown Voltage 

40 

–––  ––– 

V  V

GS

 = 0V, I

D

 = 250µA 

V

(BR)DSS

/

T

J  

Breakdown Voltage Temp. Coefficient 

–––  0.040  –––  V/°C  Reference to 25°C, I

D

 = 1mA  

R

DS(on) 

   

Static Drain-to-Source On-Resistance    

––– 

––– 

10 

m

V

GS

 = 7.0V, I

D

 = 14A 

V

GS(th) 

Gate Threshold Voltage 

1.0 

––– 

2.0 

V  V

DS

 = V

GS

, I

D

 = 250µA 

gfs 

Forward Trans conductance 

40 

–––  ––– 

S  V

DS

 = 10V, I

D

 = 14A 

I

DSS 

  

Drain-to-Source Leakage Current   

––– –––  20 

µA 

V

DS

 =40V, V

GS

 = 0V 

––– ––– 250 

V

DS

 = 32V,V

GS

 = 0V,T

J

 =125°C 

I

GSS 

  

Gate-to-Source Forward Leakage 

––– 

–––  200 

nA 

V

GS

 = 8.0V 

Gate-to-Source Reverse Leakage 

––– 

–––  -200 

V

GS

 = -8.0V 

Dynamic  Electrical Characteristics @ T

J

 = 25°C (unless otherwise specified) 

Q

Total Gate Charge  

––– 

69 

100 

nC  

I

D

 = 14A 

Q

gs 

Gate-to-Source Charge 

––– 

9.0 

––– 

V

DS

 = 32V 

Q

gd 

Gate-to-Drain Charge 

––– 

16 

––– 

V

GS

 = 7.0V 

t

d(on) 

Turn-On Delay Time 

––– 

9.3 

––– 

ns 

V

DD

 = 20V 

t

Rise Time 

––– 

5.0 

––– 

I

D

 = 1.0A 

t

d(off) 

Turn-Off Delay Time 

––– 

180  ––– 

R

= 6.2



t

Fall Time 

––– 

58 

––– 

V

GS

 = 7.0V  

C

iss 

Input Capacitance 

–––  3520  ––– 

pF  

V

GS

 = 0V 

C

oss 

Output Capacitance 

––– 

660  ––– 

V

DS

 = 25V 

C

rss 

Reverse Transfer Capacitance 

––– 

76 

––– 

ƒ = 1.0MHz 

Diode Characteristics  

  

        Parameter 

Min.  Typ.  Max.  Units 

Conditions 

I

  

Continuous Source Current  

––– ––– 2.3 

MOSFET symbol 

(Body Diode) 

showing  the 

I

SM 

  

Pulsed Source Current 

––– ––– 110 

integral reverse 

(Body Diode)

p-n junction diode. 

V

SD 

Diode Forward Voltage 

––– 

––– 

1.3 

V  T

J

 = 25°C,I

= 2.3A,V

GS

 = 0V 

t

rr  

Reverse Recovery Time  

––– 

59 

89 

ns   T

J

 = 25°C ,I

F

 = 2.3A,  

Q

rr  

Reverse Recovery Charge  

––– 

110  170 

nC    di/dt = 100A/µs 

t

on 

Forward Turn-On Time 

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L

S

+L

D

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

Fig. 2 Typical Output Characteristics 

Fig. 3 

Typical Transfer Characteristics

 

 

Fig. 4 Normalized On-Resistance 

vs. Temperature 

Fig. 1 Typical Output Characteristics 

0.1

1

10

100

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

0.01

0.1

1

10

100

1000

10000

100000

I D

, D

ra

in

-t

o-

S

ou

rc

C

ur

re

nt

 (

A

)

1.8V

20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C

                  

VGS

TOP           7.5V

                   7.0V

                   4.5V

                   3.0V

                   2.5V

                   2.3V

                   2.0V

BOTTOM   1.8V

0.1

1

10

100

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

0.1

1

10

100

1000

10000

I D

, D

ra

in

-t

o-

S

ou

rc

C

ur

re

nt

 (

A

)

1.8V

20µs PULSE WIDTH
Tj = 150°C

                  

VGS

TOP           7.5V

                   7.0V

                   4.5V

                   3.0V

                   2.5V

                   2.3V

                   2.0V

BOTTOM   1.8V

1.0

2.0

3.0

4.0

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

0.10

1.00

10.00

100.00

1000.00

I D

, D

ra

in

-t

o-

S

ou

rc

C

ur

re

nt

 



)

TJ = 25°C

TJ = 150°C

VDS = 15V
20µs PULSE WIDTH

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

T  , Junction Temperature

(    C)

R

   

      

   , D

ra

in

-to

-S

ou

rc

e

 O

n R

e

si

sta

n

ce

(N

o

rm

a

lize

d)

J

D

S

(on)

°

 

 

V

=

I

=

GS

D

10V

14A

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

Fig 5.  Typical Capacitance vs.  
 

      Drain-to-Source Voltage

 

Fig 6.  Typical Gate Charge vs. 
 

      Gate-to-Source Voltage

 

 

 

Fig 8.  Maximum Safe Operating Area  

Fig. 7 Typical Source-to-Drain Diode 

 Forward Voltage 

1

10

100

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

10

100

1000

10000

100000

C

, C

ap

ac

ita

nc

e(

pF

)

Coss

Crss

Ciss

VGS   = 0V,       f = 1 MHZ

Ciss    = Cgs + Cgd,   Cds    SHORTED
Crss    = Cgd 
Coss   = Cds + Cgd

0

10

20

30

40

50

60

70

80

0

1

2

3

4

5

6

7

8

Q   , Total Gate Charge (nC)

V     , G

a

te

-t

o

-S

o

u

rc

e

 V

o

lta

g

e

 (

V

)

G

GS

 

I

=

D

14A

 

V

=  8V

DS

V

=  20V

DS

V

=  32V

DS

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

VSD, Source-to-Drain Voltage (V)

0.10

1

10

100

1000

I S

D

, R

ev

er

se

 D

ra

in

 C

ur

re

nt

 (

A

)

TJ = 25°C

TJ = 150°C

VGS = 0V

0

1

10

100

1000

VDS  , Drain-toSource Voltage (V)

0.1

1

10

100

1000

I D

,  

D

ra

in

-t

o-

S

ou

rc

C

ur

re

nt

 (

A

)

Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse

1msec

10msec

OPERATION IN THIS AREA 
LIMITED BY R DS(on)

100µsec

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

Fig 11.  Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient 

Fig 9.  Maximum Drain Current vs. Case Temperature 

Fig 10a.  Switching Time Test Circuit 

Fig 10b.  Switching Time Waveforms 

25

50

75

100

125

150

0

3

6

9

12

15

T   , Case Temperature

(    C)

I  

 , Dr

a

in C

u

rr

e

nt

 (

A

)

°

C

D

0.1

 1

 10

 100

0.0001

0.001

0.01

0.1

 1

 10

 100

 1000

 

Notes:

1. Duty factor D =

t   / t

2. Peak T

= P

x  Z

+ T

1

2

J

DM

thJA

A

 

P

t

t

DM

1

2

t  , Rectangular Pulse Duration (sec)

Th

e

rm

a

l R

e

sp

o

n

se

(Z

       

   )

1

th

JA

0.01

0.02

0.05

0.10

0.20

D = 0.50

 

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

Fig 12. 

Typical On-Resistance Vs. 

Gate Voltage

 

Fig 13. 

Typical On-Resistance Vs. 

Drain Current

 

Fig 15.   Typical Power Vs. Time

 

Fig. 14. Typical Threshold Voltage Vs. Junction 

Temperature

 

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

VGS, Gate -to -Source Voltage  (V)

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

R

D

S

(o

n)

,  

D

ra

in

-t

-S

ou

rc

O

R

es

is

ta

nc

(m

)

ID = 14A

0

20

40

60

80

100

120

ID , Drain Current (A)

8.60

8.70

8.80

8.90

9.00

9.10

9.20

9.30

9.40

R

D

S

 (

on

D

ra

in

-t

o-

S

ou

rc

O

R

es

is

ta

nc

(

m

)

VGS = 7.0V

-75

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

TJ , Temperature ( °C )

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

V

G

S

(t

h)

 G

at

th

re

sh

ol

V

ol

ta

ge

 (

V

)

ID = 250µA

1.00

10.00

100.00

1000.00

Time (sec)

0

10

20

30

40

50

P

ow

er

 (

W

)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

 

Fig 16a. Maximum Avalanche Energy 

 vs. Drain Current 

Fig 17.  Gate Charge Test Circuit 

Fig 18.   Basic Gate Charge Waveform 

Vds

Vgs

Id

Vgs(th)

Qgs1 Qgs2

Qgd

Qgodr

R G

IAS

0.01

tp

D.U.T

L

VDS

+

- VDD

DRIVER

A

15V

20V

Fig 16b.  Unclamped Inductive Test Circuit 

tp

V

(BR)DSS

I

AS

Fig 16c.  Unclamped Inductive Waveforms 

25

50

75

100

125

150

0

104

208

312

416

520

Starting Tj, Junction Temperature

(   C)

E

     

, S

ingl

e P

ul

se A

val

an

che E

n

ergy

 (

m

J)

AS

°

 

I D

TOP

BOTTOM

6.3A 

11A 
14A 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

 

Fig 19.  Typical Avalanche Current vs. Pulse width  

Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 19, 20: 
(For further info, see AN-1005 at www.infineon.com) 
 
1.  Avalanche failures assumption:  
 

Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in  

 

excess of T

jmax

. This is validated for every part type. 

2.  Safe operation in Avalanche is allowed as long as T

jmax

 is not exceeded. 

3.   Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16b, 16c. 
4.   P

D (ave) 

= Average power dissipation per single avalanche pulse. 

5.   BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase  
 during 

avalanche). 

6.   I

av 

= Allowable avalanche current. 

7. 

T

 = 

Allowable rise in junction temperature, not to exceed

 

T

jmax 

(assumed as  

 

25°C in Figure 11, 16).  

 

t

av = 

Average time in avalanche. 

 

D = Duty cycle in avalanche =  t

av 

·f 

 

Z

thJC

(D, t

av

) = Transient thermal resistance, see Figures 11) 

 

P

D (ave)

 = 1/2 ( 1.3·BV·I

av

) = 

T/ Z

thJC

 

I

av

 = 2

T/ [1.3·BV·Z

th

E

AS (AR) 

= P

D (ave)

·t

av

 

Fig 20.  Maximum Avalanche Energy  

vs. Temperature 

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

1.0E+00

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

tav (sec)

0.01

0.1

1

10

100

A

va

la

nc

he

 C

ur

re

nt

 (

A

)

0.05

Duty Cycle = Single Pulse

0.10

Allowed avalanche Current vs 
avalanche pulsewidth, tav 
assuming 

 Tj = 25°C due to 

avalanche losses

0.01

25

50

75

100

125

150

Starting TJ , Junction Temperature (°C)

0

25

50

75

100

125

150

175

200

225

250

E

A

R

 , 

A

va

la

nc

he

 E

ne

rg

(m

J)

TOP          Single Pulse                
BOTTOM   10% Duty Cycle
ID = 14A

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

 

2015-11-16 

 

 

SO-8 Part Marking Information 

SO-8 Package Outline 

(Dimensions are shown in millimeters (inches)

 

e 1

D
E

y

b

A
A1

H
K
L

.189
.1497

 0°

.013

.050  BASIC

.0532
.0040

.2284
.0099
.016

.1968
.1574

 8°

.020

.0688
.0098

.2440
.0196
.050

4.80
3.80

0.33

1.35
0.10

5.80
0.25
0.40

 0°

1.27  BASIC

5.00
4.00

0.51

1.75
0.25

6.20
0.50
1.27

M IN

M AX

M ILLIM ETERS

IN C H ES

M IN

M AX

D IM

 8°

e

c

.0075

.0098

0.19

0.25

.025  BASIC

0.635  BASIC

8

7

5

6

5

D

B

E

A

e

6X

H

0.25 [ .010]  

A

6

7

K x 45°

8X L

8X c

y

0.25 [ .010]  

C A B

e1

A

A1

8X b

C

0.10 [ .004]  

4

3

1

2

F O O T P R I N T

8 X   0 . 7 2   [ . 0 2 8 ]

6 . 4 6   [ . 2 5 5 ]

3 X   1 . 2 7   [ . 0 5 0 ]

4 .     O U T L I N E   C O N F O R M S   T O   J E D E C   O U T L I N E   M S - 0 1 2 A A .

N O T E S :
1 .     D I M E N S I O N I N G   &   T O L E R A N C I N G   P E R   A S M E   Y 1 4 . 5 M - 1 9 9 4 .
2 .     C O N T R O L L I N G   D I M E N S I O N :   M I L L I M E T E R
3 .     D I M E N S I O N S   A R E   S H O W N   I N   M I L L I M E T E R S   [ I N C H E S ] .

5       D I M E N S I O N   D O E S   N O T   I N C L U D E   M O L D   P R O T R U S I O N S .

6       D I M E N S I O N   D O E S   N O T   I N C L U D E   M O L D   P R O T R U S I O N S .
          M O L D   P R O T R U S I O N S   N O T   T O   E X C E E D   0 . 2 5   [ . 0 1 0 ] .
7       D I M E N S I O N   I S   T H E   L E N G T H   O F   L E A D   F O R   S O L D E R I N G   T O
          A   S U B S T R A T E .

          M O L D   P R O T R U S I O N S   N O T   T O   E X C E E D   0 . 1 5   [ . 0 0 6 ] .

8 X   1 . 7 8   [ . 0 7 0 ]

Note: For the most current drawing please refer to IR website at 

http://www.irf.com/package/

 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7484q-html.html
background image

 

AUIRF7484Q 

10 

 

2015-11-16 

SO-8 Tape and Reel  (

Dimensions are shown in millimeters (inches)

 

 330.00
(12.992)
  MAX.

14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )

NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.

FEED DIRECTION

TERMINAL NUMBER 1

12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )

8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )

NOTES:
1.   CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2.   ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).
3.   OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.

Note: For the most current drawing please refer to IR website at 

http://www.irf.com/package/

 

Maker
Infineon Technologies