AUIRF7379Q Product Datasheet

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

V

DSS 

30V 

R

DS(on)

   typ. 

0.038



I

D  

5.8A 

-30V 

0.070



-4.3A 

 

N-CH P-CH 

              max.  0.045

 0.090

Description 

Specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® 
Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing 
techniques to achieve extremely low  on-resistance per  silicon  area.  
Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power 
MOSFET's  are a 150°C  junction  operating temperature, fast  
switching speed and improved repetitive avalanche rating. These 
benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable 
device for use in Automotive applications and a wide variety of other 
applications. 
The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics 
and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power 
applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce 
board space and is also available  in Tape & Reel. 

Features 

  Advanced Planar Technology 

 Low 

On-Resistance 

  Logic Level Gate Drive 

  Dual N and P Channel MOSFET 
 Surface Mount 

  Available in Tape & Reel 

  150°C Operating Temperature 

  Lead-Free, RoHS Compliant 

  Automotive Qualified *  

 

2015-9-30 

HEXFET® is a registered trademark of Infineon. 
*Qualification standards can be found at 

www.infineon.com

 

 

AUTOMOTIVE GRADE 

Symbol  

Parameter  

      Max.  

Units  

N-Channel P-Channel 

V

DS

 Drain-Source 

Voltage 

30 

-30 V 

I

D

 @ T

A

 = 25°C 

Continuous Drain Current, V

GS

 @ 10V  

5.8 

-4.3 

 

I

D

 @ T

A

 = 70°C 

Continuous Drain Current, V

GS

 @ 10V  

4.6 

-3.4 

I

DM 

Pulsed Drain Current  46 

-34 

P

D

 @T

A

 = 25°C 

Maximum Power Dissipation   

         2.5 

W  

 

Linear Derating Factor 

        0.02 

V

GS 

Gate-to-Source Voltage 

        ± 20  

 

dv/dt 

Peak Diode Recovery dv/dt  5.0 

-5.0 

V/ns 

T

J  

Operating Junction and 

             -55  to + 150   

°C 

T

STG 

Storage Temperature Range 

W/°C 

Absolute Maximum Ratings 

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.   These are stress 
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not 
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance 
and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless 
otherwise specified. 

Thermal Resistance  

Symbol Parameter 

Typ. 

Max. 

Units 

°C/W   

R

JA

  

Junction-to-Ambient ( PCB Mount, steady state)  ––– 

50 

SO-8 

AUIRF7379Q 

Base part number 

Package Type 

Standard Pack 

Orderable Part Number   

Form 

Quantity 

AUIRF7379Q 

SO-8 

Tape and Reel  

4000 

AUIRF7379QTR 

G D S 

Gate Drain Source 

D1

D1

D2

D2

G1

S2

G2

S1

Top View

8

1

2

3

4

5

6

7

P-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL MOSFET

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

Static @ T

J

 = 25°C (unless otherwise specified) 

  

Parameter  

Min. 

Typ. 

Max. 

Units 

Conditions 

V

(BR)DSS  

Drain-to-Source Breakdown Voltage  

N-Ch 30  ––– ––– 

V  

V

GS

 = 0V, I

D

 = 250µA 

P-Ch -30  ––– ––– 

V

GS

 = 0V, I

D

 = -250µA 

V

(BR)DSS

/

T

J   

Breakdown Voltage Temp. Coefficient  

N-Ch ––– 0.032 ––– 

V/°C  

Reference to 25°C, I

D

 = 1mA  

P-Ch 

––– 

-0.037  ––– 

Reference to 25°C, I

D

 = -1mA  

R

DS(on) 

   

Static Drain-to-Source On-Resistance    

N-Ch  

––– 0.038 0.045 



V

GS

 = 10V, I

D

 = 5.8A  

––– 0.055 0.075 

V

GS

 = 4.5V, I

D

 = 4.9A  

P-Ch 

––– 0.070 0.090 

V

GS

 = -10V, I

D

 = -4.3A  

––– 0.130 0.180 

V

GS

 = -4.5V, I

D

 = -3.7A  

V

GS(th)  

Gate Threshold Voltage  

N-Ch 1.0  –––  3.0 

V  

V

DS

 = V

GS

, I

D

 = 250µA 

P-Ch -1.0  –––  -3.0 

V

DS

 = V

GS

, I

D

 = -250µA 

gfs  

Forward Trans conductance  

N-Ch 5.2  ––– ––– 

S  

V

DS

 = 15V, I

D

 = 2.4A 

P-Ch 2.5  ––– ––– 

V

DS

 = -24V, I

D

 = -1.8A 

I

DSS 

   

Drain-to-Source Leakage Current    

N-Ch –––  –––  1.0 

µA  

V

DS

 =24V, V

GS

 = 0V 

P-Ch –––  –––  -1.0 

V

DS

 = -24V,V

GS

 = 0V 

N-Ch –––  –––  25 

V

DS

 =24V, V

GS

 = 0V ,T

J

 = 125°C  

P-Ch –––  –––  -25 

V

DS

 = -24V,V

GS

 = 0V,T

J

 = 125°C   

I

GSS 

    

Gate-to-Source Forward Leakage  

N-P 

––– 

––– 

± 100 

nA   

V

GS

 = ± 20V  

Gate-to-Source Reverse Leakage  

N-P 

––– 

––– 

± 100 

V

GS

 = ± 20V  

Dynamic  Electrical Characteristics @ T

J

 = 25°C (unless otherwise specified) 

Q

g  

Total Gate Charge   

N-Ch –––  –––  25 

nC  

N-Channel 

P-Ch –––  –––  25 

I

D

 = 2.4A, V

DS

 = 24V,V

GS

 = 10V 

Q

gs  

Gate-to-Source Charge  

N-Ch –––  –––  2.9 



 

P-Ch –––  –––  2.9 

P-Channel 

Q

gd  

Gate-to-Drain Charge  

N-Ch –––  –––  7.9 

I

D

 = -1.8A,V

DS

 = -24V,V

GS

 = -10V 

P-Ch –––   

9.0 

 

t

d(on)  

Turn-On Delay Time  

N-Ch –––  6.8  ––– 

ns   

N-Channel 

P-Ch –––  11  ––– 

V

DD

 = 15V,I

D

 = 2.4A,R

= 6.0



t

r  

Rise Time  

N-Ch –––  21  ––– 

R

= 6.2

 

P-Ch –––  17  ––– 



 

t

d(off)  

Turn-Off Delay Time  

N-Ch –––  22  ––– 

P-Channel 

P-Ch –––  25  ––– 

V

DD

 = -15V,I

D

 = -1.8A,R

= 6.0



t

f  

 

Fall Time   

N-Ch –––  7.7  ––– 

R

= 8.2

 

P-Ch –––  18 

 

L

D

 

Internal Drain Inductance 

N-P 

––– 

4.0 

––– 

nH  

Between lead,6mm (0.25in.)from  

L

S

 Internal 

Source 

Inductance 

N-P 

––– 

6.0 

––– 

Package and center of die contact 

C

iss  

Input Capacitance  

N-Ch –––  520  ––– 

pF  

N-Channel 

P-Ch –––  440  ––– 

V

GS

 = 0V,V

DS

 = 25V,ƒ = 1.0MHz 

C

oss  

Output Capacitance  

N-Ch –––  180  ––– 



 

P-Ch –––  200  ––– 

P-Channel 

C

rss  

Reverse Transfer Capacitance  

N-Ch –––  72  ––– 

V

GS

 = 0V,V

DS

 = -25V,ƒ = 1.0MHz 

P-Ch –––  93  ––– 

 

Diode Characteristics  

  

        Parameter 

 

Min. 

Typ.  Max.  Units 

Conditions 

I

   

Continuous Source Current (Body Diode)  

N-Ch –––  –––  3.1 

A  

 

P-Ch –––  –––  -3.1 

 

I

SM 

   

Pulsed Source Current 

N-Ch –––  –––  46 

 

(Body Diode)

P-Ch –––  –––  -34 

 

V

SD  

Diode Forward Voltage  

N-Ch –––  –––  1.0 

T

J

 = 25°C,I

= 1.8A,V

GS

 = 0V 

P-Ch –––  –––  -1.0 

T

J

 = 25°C,I

= -1.8A,V

GS

 = 0V 

t

rr   

Reverse Recovery Time   

N-Ch –––  47  71 

ns   

N-Channel 

P-Ch –––  53  80 

T

J

 = 25°C ,I

F

 = 2.4A, di/dt = 100A/µs  

Q

rr   

Reverse Recovery Charge   

N-Ch –––  56  84 

nC   

P-Channel                                        

P-Ch   66 99 

T

J

 = 25°C,I

F

 = -1.8A, di/dt = 100A/µs  

V  

Notes:

  Repetitive rating;  pulse width limited by max. junction temperature.  



N-Channel I

SD

 

2.4A, di/dt 73A/µs, V

DD

 

V

(BR)DSS

, T

J

 

 150°C. 

 P-Channel 

I

SD

 

-1.8A, di/dt 90A/µs, V

DD

 

V

(BR)DSS

, T

J

 

 150°C. 

 Pulse 

width 

300µs; duty cycle  2%. 

  Surface mounted on FR-4 board , t 

10sec. 

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

Fig. 2 Typical Output Characteristics 

 

Fig. 3 

Typical Transfer Characteristics

 

 

Fig. 4 Typical Source-Drain Diode 

Forward Voltage 

Fig. 1 Typical Output Characteristics 

 

N-Channel 

1

10

100

1000

0.1

1

10

100

I   ,

 D

rain-

to-S

our

ce C

urrent

 (

A

)

D

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

DS

                   VGS

 TOP           15V

                   10V

                   8.0V

                   7.0V

                   6.0V

                   5.5V

                   5.0V

 BOTTOM   4.5V

 20µs PULSE WIDTH 
 T   = 25°C

A

 4.5V

J

1

10

100

1000

0.1

1

10

100

I   

, D

rain-

to-S

our

ce C

ur

rent

 (

A

)

D

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

DS

                   VGS

 TOP           15V

                   10V

                   8.0V

                   7.0V

                   6.0V

                   5.5V

                   5.0V

 BOTTOM   4.5V

 20µs PULSE WIDTH 
 T   = 150°C

A

 4.5V

J

10

100

4

5

6

7

8

9

10

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

GS

V     , Gate-to-Source Voltage (V)

D

  

, D

ra

in

-t

o

-S

ou

rc

e

 C

u

rr

e

n

t (A

)

A

 V     = 15V
 20µs PULSE WIDTH 

DS

0.1

1

10

100

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

V      = 0V 

GS

V     , Source-to-Drain Voltage (V)

I  

   

, R

ev

ers

e D

ra

in

 C

ur

re

nt (A)

SD

SD

A

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

Fig 5. 

Normalized On-Resistance 

Vs. Temperature 

Fig 6. 

Typical On-Resistance Vs. Drain 

Current 

 

Fig. 7 Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage 

N-Channel 

 

 

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160

J

T   , Junction Temperature (°C)

R    

   

    , 

 Dra

in

-to

-S

ou

rc

e On

 Resis

ta

nc

e

DS

(on

)

(N

or

ma

liz

ed)

 V      = 10V 

GS

A

 I    = 4.0A

D

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

Fig 8. 

 Typical Capacitance Vs. 

            Drain-to-Source Voltage 

Fig 9. 

Typical Gate Charge Vs. 

 Gate-to-Source 

Voltage 

 

Fig 10.  Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient 

N-Channel 

0

200

400

600

800

1000

1

10

100

C, Capac

ita

nc

e (

pF)

DS

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

A

V      = 0V,         f = 1MHz
C      = C     + C     ,   C     SHORTED
C      = C
C      = C     + C

GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd

iss

oss

rss

0.1

 1

 10

 100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

 1

 10

 100

 

Notes:

1. Duty factor D = t   / t
2. Peak T = P

x  Z

+ T

1

2

J

DM

thJA

A

 

P

t

t

DM

1

2

t  , Rectangular Pulse Duration (sec)

Ther

m

al

 R

esponse

(Z

        )

1

thJ

A

0.01

0.02

0.05

0.10

0.20

D = 0.50

 

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

P-Channel 

Fig. 12 Typical Output Characteristics 

 

Fig. 13 

Typical Transfer Characteristics

 

 

Fig. 14 Typical Source-Drain Diode 

Forward Voltage 

Fig. 11 Typical Output Characteristics 

 

1

10

100

0.1

1

10

100

D

DS

A

-I   , 

D

ra

in

-to

-So

urce

 C

urr

en

t (A

)

-V     , Drain-to-Source Voltage (V)

                   VGS 

 TOP          - 15V

                  - 10V

                  - 8.0V

                  - 7.0V

                  - 6.0V

                  - 5.5V

                  - 5.0V

 BOTTOM  - 4.5V

 -4.5V

 20µs PULSE WIDTH 
 T   = 25°C

J

1

10

100

0.1

1

10

100

D

DS

 20µs PULSE WIDTH
 T   = 150°C

A

-I

   ,

 D

ra

in

-to-S

ou

rc

e C

ur

ren

(A)

-V     , Drain-to-Source Voltage (V)

                   VGS 

 TOP          - 15V

                  - 10V

                  - 8.0V

                  - 7.0V

                  - 6.0V

                  - 5.5V

                  - 5.0V

 BOTTOM  - 4.5V

 -4.5V

J

1

10

100

4

5

6

7

8

9

10

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

GS

D

A

-I  

 ,

 Dr

a

in-to

-S

o

urce Curr

e

nt

 (

A

)

-V     , Gate-to-Source Voltage (V)

 V     = -15V
 20µs PULSE WIDTH 

DS

0.1

1

10

100

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

V      = 0V 

GS

SD

SD

A

-I 

    

, R

e

ve

rse

 Dr

a

in

 C

u

rr

e

n

(A)

-V     , Source-to-Drain Voltage (V)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

 

Fig 15. 

Normalized On-Resistance 

Vs. Temperature 

Fig 16. 

Typical On-Resistance Vs. 

Drain Current 

Fig. 17 Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage 

P-Channel 

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

-60 -40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160

J

T   , Junction Temperature (°C)

  

    

  

  

,  

Dr

ai

n-

to

-So

ur

ce

 O

R

es

is

ta

n

ce

DS

(o

n

)

(N

o

rma

lize

d)

A

 V      = -10V 

GS

 I    = -3.0A

D

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

Fig 20.  Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient 

P-Channel 

Fig 18.  Typical Capacitance Vs. 

             Drain-to-Source Voltage 

Fig 19.  Typical Gate Charge Vs. 

           Gate-to-Source Voltage 

0

200

400

600

800

1000

1

10

100

C, Ca

pa

ci

tan

ce

 (

p

F

)

A

DS

-V     , Drain-to-Source Voltage (V)

V      = 0V,         f = 1MHz
C      = C     + C     ,   C     SHORTED
C      = C
C      = C     + C

GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd

iss

oss

rss

0.1

 1

 10

 100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

 1

 10

 100

 

Notes:

1. Duty factor D = t   / t
2. Peak T = P

x  Z

+ T

1

2

J

DM

thJA

A

 

P

t

t

DM

1

2

t  , Rectangular Pulse Duration (sec)

Ther

m

al

 R

esponse

(Z

        )

1

thJ

A

0.01

0.02

0.05

0.10

0.20

D = 0.50

 

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

 

2015-9-30 

 

 

SO-8 Part Marking Information 

SO-8 Package Outline 

(Dimensions are shown in millimeters (inches)

 

e 1

D
E

y

b

A
A1

H
K
L

.189
.1497

 0°

.013

.050  BASIC

.0532
.0040

.2284
.0099
.016

.1968
.1574

 8°

.020

.0688
.0098

.2440
.0196
.050

4.80
3.80

0.33

1.35
0.10

5.80
0.25
0.40

 0°

1.27  BASIC

5.00
4.00

0.51

1.75
0.25

6.20
0.50
1.27

M IN

M AX

M ILLIM ETERS

IN C H ES

M IN

M AX

D IM

 8°

e

c

.0075

.0098

0.19

0.25

.025  BASIC

0.635  BASIC

8

7

5

6

5

D

B

E

A

e

6X

H

0.25 [ .010]  

A

6

7

K x 45°

8X L

8X c

y

0.25 [ .010]  

C A B

e1

A

A1

8X b

C

0.10 [ .004]  

4

3

1

2

F O O T P R I N T

8 X   0 . 7 2   [ . 0 2 8 ]

6 . 4 6   [ . 2 5 5 ]

3 X   1 . 2 7   [ . 0 5 0 ]

4 .     O U T L I N E   C O N F O R M S   T O   J E D E C   O U T L I N E   M S - 0 1 2 A A .

N O T E S :
1 .     D I M E N S I O N I N G   &   T O L E R A N C I N G   P E R   A S M E   Y 1 4 . 5 M - 1 9 9 4 .
2 .     C O N T R O L L I N G   D I M E N S I O N :   M I L L I M E T E R
3 .     D I M E N S I O N S   A R E   S H O W N   I N   M I L L I M E T E R S   [ I N C H E S ] .

5       D I M E N S I O N   D O E S   N O T   I N C L U D E   M O L D   P R O T R U S I O N S .

6       D I M E N S I O N   D O E S   N O T   I N C L U D E   M O L D   P R O T R U S I O N S .
          M O L D   P R O T R U S I O N S   N O T   T O   E X C E E D   0 . 2 5   [ . 0 1 0 ] .
7       D I M E N S I O N   I S   T H E   L E N G T H   O F   L E A D   F O R   S O L D E R I N G   T O
          A   S U B S T R A T E .

          M O L D   P R O T R U S I O N S   N O T   T O   E X C E E D   0 . 1 5   [ . 0 0 6 ] .

8 X   1 . 7 8   [ . 0 7 0 ]

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/auirf7379q-html.html
background image

 

AUIRF7379Q 

10 

 

2015-9-30 

SO-8 Tape and Reel  (

Dimensions are shown in millimeters (inches)

 

 330.00
(12.992)
  MAX.

14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )

NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.

FEED DIRECTION

TERMINAL NUMBER 1

12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )

8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )

NOTES:
1.   CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2.   ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).
3.   OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.

Maker
Infineon Technologies