IRLML2803PbF Product Datasheet

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low  on-

resistance per silicon area.  This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that HEXFET

Power MOSFETs are well known for, provides the designer with

an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety

of applications.

A customized leadframe has been incorporated into the standard

SOT-23 package to produce a HEXFET Power MOSFET with

the industry's smallest footprint.  This package, dubbed the

Micro3, is ideal for applications where printed circuit board

space is at a premium.  The low profile (<1.1mm) of the Micro3

allows it to fit easily into extremely thin application environments

such as portable electronics and PCMCIA cards.

V

DSS

 = 30V

R

DS(on)

 = 0.25Ω

HEXFET

®

 Power MOSFET

Description

l

Generation V Technology

l

Ultra Low On-Resistance

l

N-Channel MOSFET

l

SOT-23 Footprint

l

Low Profile (<1.1mm)

l

Available in Tape and Reel

l

Fast Switching

l

Lead-Free

l

RoHS Compliant, Halogen-Free

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

I

D

 @ T

A

 = 25°C

Continuous Drain Current, V

GS

 @ 10V

I

D

 @ T

A

 = 70°C

Continuous Drain Current, V

GS

 @ 10V

I

DM

Pulsed Drain Current 

c

P

D

 @T

A

 = 25°C

Power Dissipation  

mW

Linear Derating Factor  

mW/°C

V

GS

Gate-to-Source Voltage

V

E

AS 

Single Pulse Avalanche Energy

g

mJ

dv/dt

Peak diode Recovery dv/dt

d

V/ns

T

J ,

T

STG

Junction and Storage Temperature Range

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R

θJA 

Maximum Junction-to-Ambient 

f

–––

230

°C/W

3.9

A

5.0

540

4.3

 ±20

Max.

1.2

0.93

7.3

-55  to + 150

D

S

G

3

1

2

Micro3

IRLML2803PbF

Form

Quantity

IRLML2803TRPbF

Micro3™ (SOT-23)

Tape and Reel

3000

IRLML2803TRPbF

Package Type

Standard Pack

 Orderable Part Number

Base Part  Number

1

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier         

Submit  Datasheet Feedback

                      April 24, 2014

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

2

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier          

Submit  Datasheet Feedback

                    April 24, 2014

IRLML2803PbF

Parameter

Min. Typ. Max. Units

              Conditions

V

(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

30

––– –––

V

V

GS

 = 0V, I

D

 = 250µA

ΔV

(BR)DSS

/ΔT

J

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I

D

 = 1mA

––– ––– 0.25

V

GS

 = 10V, I

D

 = 0.91A ƒ

––– ––– 0.40

V

GS

 = 4.5V, I

D

 = 0.46A ƒ

V

GS(th)

Gate Threshold Voltage

1.0 ––– –––

V

V

DS

 = V

GS

, I

D

 = 250µA

g

fs

Forward Transconductance

0.87 ––– –––

S

V

DS

 = 10V, I

D

 = 0.46A

––– ––– 1.0

V

DS

 = 24V, V

GS

 = 0V

––– –––

25

V

DS

 = 24V, V

GS

 = 0V, T

J

 = 125°C

Gate-to-Source Forward Leakage

––– ––– -100

V

GS

 = -20V

                       Gate-to-Source Reverse Leakage

––– ––– 100

V

GS

 = 20V

Q

g

Total Gate Charge

––– 3.3

5.0

I

D

 = 0.91A

Q

gs

Gate-to-Source Charge

––– 0.48 0.72

nC

V

DS

 = 24V

Q

gd

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

––– 1.1

1.7

V

GS

 = 10V, See Fig. 6 and 9 ƒ

t

d(on)

Turn-On Delay Time

––– 3.9 –––

V

DD

 = 15V

t

r

Rise Time

––– 4.0 –––

I

D

 = 0.91A

t

d(off)

Turn-Off Delay Time

––– 9.0 –––

R

G

 = 6.2Ω

t

f

Fall Time

––– 1.7 –––

R

D

 = 16Ω, See Fig. 10 ƒ

C

iss

Input Capacitance

–––

85

–––

V

GS

 = 0V

C

oss

Output Capacitance

–––

34

–––

pF

V

DS

 = 25V

C

rss

Reverse Transfer Capacitance

–––

15

–––

ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5

Ω

µA

nA

ns

I

GSS

I

DSS

Drain-to-Source Leakage Current

R

DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

Electrical Characteristics @ T

J

 = 25°C (unless otherwise specified)

 Parameter

Min. Typ. Max. Units

       Conditions

I

S

Continuous Source Current

MOSFET symbol

(Body Diode)

showing  the

I

SM

Pulsed Source Current

integral reverse

(Body Diode) 

p-n junction diode.

V

SD

Diode Forward Voltage

––– ––– 1.2

V

T

J

 = 25°C, I

S

 = 0.91A, V

GS

 = 0V ƒ

t

rr

Reverse Recovery Time

–––

26

40

ns

T

J

 = 25°C, I

F

 = 0.91A

Q

rr

Reverse RecoveryCharge

–––

22

32

nC

di/dt = 100A/µs

 

ƒ

Source-Drain Ratings and Characteristics

A

––– –––

7.3

––– ––– 0.54

S

D

G



 Repetitive rating;  pulse width limited by

     max. junction temperature. ( See fig. 11 )

‚

I

SD 

≤  0.91A,  di/dt ≤ 120A/µs, V

DD 

≤  V

(BR)DSS

,

     T

≤ 150°C

Notes:

ƒ

 Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.

…

  Limited by T

Jmax

, starting T

= 25°C, L = 9.4mH, R

= 25

Ω, I

AS 

= 0.9A.

„

  Surface mounted on FR-4 board,  t ≤  5sec.

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

3

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier        

Submit  Datasheet Feedback

                      April 24, 2014

IRLML2803PbF

Fig 4.  Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

Fig 1.  Typical Output Characteristics

Fig 2.  Typical Output Characteristics

Fig 3.  Typical Transfer Characteristics

0.1

1

10

0.1

1

10

 20μs PULSE WIDTH
 T   = 25°C

A

J

DS

V      , Drain-to-Source Voltage (V)

 3.0V

                   VGS

 TOP           15V

                   10V

                   7.0V

                   5.5V

                   4.5V

                   4.0V

                   3.5V

 BOTTOM   3.0V

DI   

 , D

rai

n-

to

-S

ou

rc

C

ur

rent

 (

A

)

0.1

1

10

0.1

1

10

A

DS

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

DI   , D

ra

in

-to

-S

ou

rc

e C

urr

en

t (

A

)

 20μs PULSE WIDTH
 T   = 150°C

J

 3.0V

                   VGS

 TOP           15V

                   10V

                   7.0V

                   5.5V

                   4.5V

                   4.0V

                   3.5V

 BOTTOM   3.0V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

-60 -40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160

J

T   , Junction Temperature (°C)

R

           ,  D

ra

in

-to

-S

ou

rc

e O

n R

es

is

ta

nc

e

DS

(o

n)

(N

or

m

al

iz

ed)

 V      = 10V

GS

A

I    = 0.91A

D

0.1

1

10

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

GS

V     , Gate-to-Source Voltage (V)

D

I   

, Dra

in

-to

-S

o

urc

e

 C

urre

n

t (A)

A

 V     = 10V
 20μs PULSE WIDTH

DS

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

4

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier          

Submit  Datasheet Feedback

                    April 24, 2014

IRLML2803PbF

Fig 7.  Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

Fig 5.  Typical Capacitance Vs.

Drain-to-Source Voltage

Fig 8.  Maximum Safe Operating Area

Fig 6.  Typical Gate Charge Vs.

Gate-to-Source Voltage

0

20

40

60

80

100

120

140

160

1

10

100

C

, Ca

pa

ci

ta

nc

e (

pF)

DS

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

A

V      = 0V,         f = 1MHz
C      = C     + C     ,   C     SHORTED
C      = C
C      = C     + C

GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd

C

iss

C

oss

C

rss

0

4

8

12

16

20

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

Q   , Total Gate Charge (nC)

G

V

     , G

ate

-to

-S

ou

rc

e V

ol

ta

ge

 (V

)

GS

A

 FOR TEST CIRCUIT  
    SEE FIGURE 9

I    = 0.91A

V      = 24V
V      = 15V 

D

DS
DS

0.1

1

10

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T  = 25°C

T  = 150°C

J

J

V      = 0V

GS

V     , Source-to-Drain Voltage (V)

I     , R

ev

ers

e D

ra

in

 C

urre

nt

 (A

)

SD

SD

A

0.1

1

10

100

1

10

100

V     , Drain-to-Source Voltage (V)

DS

I  

 , D

ra

in

 C

urre

nt

 (A

)

 OPERATION IN THIS AREA LIMITED
                       BY R

D

DS(on)

T     = 25°C
T     = 150°C

 Single Pulse

1ms

10ms

A

A
J

100μs

10μs

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

5

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier        

Submit  Datasheet Feedback

                      April 24, 2014

IRLML2803PbF

Fig 11.  Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient

V

DS

90%

10%
V

GS

t

d(on)

t

r

t

d(off)

t

f

Fig 10a.  Switching Time Test Circuit

Fig 10b.  Switching Time Waveforms

V

DS

10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

R

D

V

GS

V

DD

R

G

D.U.T.

+

-

Fig 9a.  Basic Gate Charge Waveform

D.U.T.

V

DS

I

D

I

G

3mA

V

GS

.3

μF

50K

Ω

.2

μF

12V

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

Current Sampling Resistors

+

-

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

G

Charge

10V

Fig 9b.  Gate Charge Test Circuit

0.1

 1

 10

 100

 1000

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

 1

 10

 100

Notes:

1. Duty factor D = t   / t
2. Peak T = P

x  Z

+ T

1

2

J

DM

thJA

A

P

t

t

DM

1

2

t  , Rectangular Pulse Duration (sec)

Ther

m

al

 R

esponse

(Z

        )

1

th

JA

0.01

0.02

0.05

0.10

0.20

D = 0.50

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

6

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier          

Submit  Datasheet Feedback

                    April 24, 2014

IRLML2803PbF

Fig 13. 

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel

HEXFET

®

 Power MOSFETs

Circuit Layout Considerations

   •  Low Stray Inductance

   •  Ground Plane

   •  Low Leakage Inductance

      Current Transformer

P.W.

Period

di/dt

Diode Recovery

dv/dt

Ripple 

≤ 5%

Body Diode  Forward Drop

Re-Applied

Voltage

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

V

GS

=10V

V

DD

I

SD

Driver Gate Drive

D.U.T. I

SD

Waveform

D.U.T. V

DS

Waveform

Inductor Curent

D = 

P.W.

Period

*

 V

GS

 = 5V for Logic Level Devices

*

+

-

+

+

+

-

-

-

ƒ

„

‚

R

G

V

DD

•  dv/dt controlled by R

G

•  Driver same type as D.U.T.

•  I

SD

 controlled by Duty Factor "D"

•  D.U.T. - Device Under Test

D.U.T



Fig 12c.  Maximum Avalanche Energy

vs. Drain Current

Fig 12b.  Unclamped Inductive Waveforms

Fig 12a.  Unclamped Inductive Test Circuit

tp

V

(BR)DSS

I

AS

RG

IAS

0.01

Ω

tp

D.U.T

L

VDS

+

- VDD

DRIVER

A

15V

20V

V

GS

25

50

75

100

125

150

Starting TJ, Junction Temperature (°C)

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

E

A

S

, S

in

gl

P

ul

se

 A

va

la

nc

he

 E

ne

rg

(m

J)

                 I D

TOP  

        0.57A

              0.75A

BOTTOM

0.90A

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

7

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier        

Submit  Datasheet Feedback

                      April 24, 2014

IRLML2803PbF

Micro3 (SOT-23 / TO-236AB)  Part Marking Information

Micro3 (SOT-23) (Lead-Free) Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

0.08

0.88

0.01

0.89

0.95 BSC

MILLIME TERS
MIN

e

E

E1

D

L

A

A1
A2

c

M

O

B

S

Y

MIN

MAX

MAX

.036

.0375 BSC

DIME NSIONS

INCHES

b

0.30

bbb

0.15

.008

ccc

.006

0.25 BS C

L1

L

0.40

0.60

.0118 BSC

aaa

0.20

.004

2.80

1.20

0

E1

E

D

5

6

3

1

2

ccc

C B A

B

5

6

e

e1

A2

A

A1

bbb

C A B

3X b

aaa C

3 S URF

0

3X L

L1

H

4

7

2.10

e1

1.90 BSC

.075 BSC

.0119
.0032

.111
.083
.048

.055

.119
.103

.0196
.0078

.0039

.044

.0004

.035

.040

.0236

.0158

1.02

0.20

0.50

2.64

3.04

1.40

1.12
0.10

0.10

1.90

[.075]

0.95

[.0375]

0.972

[.038]

2.742

[.1079]

     0.802

     [.031]

RECOMMENDED FOOTPRINT

3X

3X

NOT ES

1.  DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.

4    DAT UM  PLANE  H  IS  LOCAT ED AT  T HE MOLD  PART ING LINE.
5      DAT UM  A AND  B  T O  BE  DET ERMINED  AT   DAT UM  PLANE  H.
6   DIMENSIONS D AND E1 ARE MEASURED AT  DAT UM PLANE H.

2.  DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS AND INCHES.
3.  CONTROLLING DIMENSION: MILLIMET ER.

7   DIMENSION L IS T HE LEAD LENGTH FOR SOLDERING T O A SUBST RAT E.
8.    OUT LINE  CONFORMS  T O JEDEC OUT LINE  T O-236AB.

F = IRLML6401

A

2001

A

27

Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001

ASSEMBLY LOT CODE

LEAD-FREE

DATE CODE

E = IRLML6402

X = PART NUMBER CODE REFERENCE:

D = IRLML5103

C = IRLML6302

B = IRLML2803

A = IRLML2402

W = (1-26) IF PRECEDED BY LAST DIGIT OF CALENDAR YEAR

W = (27-52) IF PRECEDED BY A LETTER

Y

8

2008

3

2003

1

2001

YEAR

2002

2

5

2005

2004

4

2007

2006

7

6

2010

0

2009

9

YEAR

Y

C

03

WORK 

WEEK

01
02

A

W

B

04

D

24

26

25

X

Z

Y

WORK 

WEEK

W

H = IRLML5203

G = IRLML2502

K

H

G

F

E

D

C

B

2006

2003

2002

2005

2004

2008

2007

2010

2009

J

Y

51

29

28

30

C

B

D

50

X

I  = IRLML0030
J = IRLML2030

L = IRLML0060

M = IRLML0040

K = IRLML0100

N = IRLML2060

P = IRLML9301

R = IRLML9303

Cu WIRE

HALOGEN FREE

PART NUMBER

52

Z

DATE CODE EXAMPLE:

YWW = 432 = DF

YWW = 503 = 5C

2018

2013

2011
2012

2015

2014

2017

2016

2020

2019

2018

2013

2011
2012

2015

2014

2017

2016

2020

2019

W = IRFML8244

V = IRLML6346

U = IRLML6344

T = IRLML6246

S = IRLML6244

Y = IRLML2246

X = IRLML2244

Z = IRFML9244

Note: For the most current drawing please refer to IR website at 

http://www.irf.com/package

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

8

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier          

Submit  Datasheet Feedback

                    April 24, 2014

IRLML2803PbF

Tape & Reel Information

SOT-23

Dimensions are shown in millimeters (inches)

2.05 ( .080 )
1.95 ( .077 )

TR

FEED DIRECTION

4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )

1.6 ( .062 )
1.5 ( .060 )

1.85 ( .072 )
1.65 ( .065 )

3.55 ( .139 )
3.45 ( .136 )

1.1 ( .043 )
0.9 ( .036 )

4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )

0.35 ( .013 )
0.25 ( .010 )

8.3 ( .326 )
7.9 ( .312 )

1.32 ( .051 )
1.12 ( .045 )

9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )

  178.00
( 7.008 )
    MAX.

NOTES:
1.  CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2.  OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
     

Note: For the most current drawing please refer to IR website at 

http://www.irf.com/package

/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_dummy/irlml2803pbf-html.html
background image

9

             www.irf.com  

© 

2014 International Rectifier        

Submit  Datasheet Feedback

                      April 24, 2014

IRLML2803PbF

IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA

To contact International Rectifier, please visit 

http://www.irf.com/whoto-call/

MS L1

(per JEDEC J-S TD-020D

†† 

)

RoHS compliant

Yes

Qualification information

Qualification level

Consumer

(per JEDEC JES D47F

††

 guidelines)

Moisture Sensitivity Level

Micro3

™ (SOT-23)

†     Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site:

 

http://www.irf.com/product-info/reliability

††   

Applicable version of JEDEC standard at the time of product release

Revision History

Date

Comment

• Updated data sheet with new IR corporate template.
• Updated package outline & part marking on page 7.
• Added Qualification table -Qual level "Consumer" on page 9.
• Added bullet point in the  Benefits  "RoHS Compliant, Halogen -Free" on page 1.

4/24/2014

Maker
Infineon Technologies