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1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
ULapproved(E83335)
EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC
EconoPACK™+modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 450A / I
CRM
= 900A
TypischeAnwendungen
TypicalApplications
•
•
Aufzugstechnik
Elevators
•
•
Hochleistungsumrichter
HighPowerConverters
•
•
Hybrid-Nutzfahrzeuge
CommercialAgricultureVehicles
•
•
Motorantriebe
MotorDrives
•
•
SolarAnwendungen
SolarApplications
•
•
USV-Systeme
UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
ElectricalFeatures
•
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
•
•
SehrgroßeRobustheit
UnbeatableRobustness
•
•
TrenchIGBT4
TrenchIGBT4
•
•
T
vjop
=150°C
T
vjop
=150°C
•
•
hoheStoßstromfestigkeit
Highsurgecurrentcapability
MechanischeEigenschaften
MechanicalFeatures
•
•
HohemechanischeRobustheit
Highmechanicalrobustness
•
•
IntegrierterNTCTemperaturSensor
IntegratedNTCtemperaturesensor
•
•
IsolierteBodenplatte
IsolatedBasePlate
•
•
PressFITVerbindungstechnik
PressFITContactTechnology
•
•
RoHSkonform
RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
1-5
ModuleMaterialNumber
6-11
ProductionOrderNumber
12-19
Datecode(ProductionYear)
20-21
Datecode(ProductionWeek)
22-23
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2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 95°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
450
660
A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
900
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
P
tot
2250
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 450 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,75
2,00
2,05
2,10
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
I
C
= 17,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
5,2
5,8
6,4
V
Gateladung
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
3,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
1,7
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
28,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
1,55
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
3,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
t
d on
0,19
0,22
0,22
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
t
r
0,06
0,06
0,07
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
t
d off
0,44
0,55
0,57
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
t
f
0,06
0,10
0,11
µs
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 6300 A/µs (T
vj
= 150°C)
R
Gon
= 1,0
Ω
E
on
25,0
40,5
44,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 450 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (T
vj
= 150°C)
R
Goff
= 1,0
Ω
E
off
37,0
56,5
63,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
1800
A
T
vj
= 150°C
t
P
≤
10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
R
thJC
0,067 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,042
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN003.png)
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
1200
V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
450
A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
900
A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
30000
27500
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 450 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,65
1,65
1,65
2,10
V
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 6300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
RM
415
470
505
A
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 6300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
Q
r
48,0
89,0
105
µC
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 450 A, - di
F
/dt = 6300 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
E
rec
22,5
39,5
45,5
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
R
thJC
0,10
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,046
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
T
C
= 25°C
R
25
5,00
k
Ω
AbweichungvonR100
DeviationofR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
∆
R/R
-5
5
%
Verlustleistung
Powerdissipation
T
C
= 25°C
P
25
20,0
mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN004.png)
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
2,5
kV
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
18,5
12,6
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
16,0
10,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
max.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
L
sCE
20
nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
R
CC'+EE'
1,10
m
Ω
Lagertemperatur
Storagetemperature
T
stg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
Gewicht
Weight
G
924
g
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN005.png)
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0
150
300
450
600
750
900
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1
Ω
,R
Goff
=1
Ω
,V
CE
=600V
I
C
[A]
E [mJ]
0
150
300
450
600
750
900
0
20
40
60
80
100
120
140
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN006.png)
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=450A,V
CE
=600V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,0037
0,0004
2
0,0071
0,0083
3
0,047
0,0471
4
0,0093
0,9
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=1
Ω
,T
vj
=150°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
150
300
450
600
750
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN007.png)
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=1
Ω
,V
CE
=600V
I
F
[A]
E [mJ]
0
150
300
450
600
750
900
0
10
20
30
40
50
60
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=450A,V
CE
=600V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,0118
0,0011
2
0,0685
0,0354
3
0,0173
0,538
4
0,0033
0,9
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
T
C
[°C]
R[
Ω
]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
1000
10000
100000
R
typ
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN008.png)
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
![background image](/sites/default/files/pdfhtml_infineon/Infineon-FS450R12OE4-DS-v03_02-EN009.png)
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS450R12OE4
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:WR
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Changesofthisproductdatasheetarereserved.