EconoDUAL™ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
EconoDUAL™modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 80°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
I
C nom
I
C
300
500
A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
600
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150
P
tot
1450
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,70
2,00
2,15
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
I
C
= 12,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GEth
5,0
5,8
6,5
V
Gateladung
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V
Q
G
2,70
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
2,5
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
21,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
res
1,00
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
I
CES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
GES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,4
Ω
t
d on
0,25
0,30
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,4
Ω
t
r
0,09
0,10
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,4
Ω
t
d off
0,55
0,65
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,4
Ω
t
f
0,13
0,16
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 80 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 5200 A/µs
R
Gon
= 2,4
Ω
E
on
15,0
22,0
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 80 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs
R
Goff
= 2,4
Ω
E
off
29,0
43,0
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
1200
A
T
vj
= 125°C
t
P
≤
10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
R
thJC
0,085 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,03
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
125
°C
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
1200
V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
300
A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms
I
FRM
600
A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
I²t
19000
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
V
F
1,65
1,65
2,15
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
RM
210
270
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
Q
r
30,0
57,0
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
E
rec
14,0
26,0
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
R
thJC
0,15
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,05
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40
125
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
T
C
= 25°C
R
25
5,00
k
Ω
AbweichungvonR100
DeviationofR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
∆
R/R
-5
5
%
Verlustleistung
Powerdissipation
T
C
= 25°C
P
25
20,0
mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
B
25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
Cu
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
14,5
13,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
12,5
10,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
min.
typ.
max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proModul/permodule
λ
Paste
=1W/(m·K)/
λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,009
K/W
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
L
sCE
20
nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
R
CC'+EE'
1,10
m
Ω
Lagertemperatur
Storagetemperature
T
stg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
Gewicht
Weight
G
345
g
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0
100
200
300
400
500
600
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5
6
7
8
9
10
11
12
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=2.4
Ω
,R
Goff
=2.4
Ω
,V
CE
=600V
I
C
[A]
E [mJ]
0
100
200
300
400
500
600
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=300A,V
CE
=600V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
4
8
12
16
20
24
0
20
40
60
80
100
120
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,0051
0,01
2
0,02805
0,02
3
0,0272
0,05
4
0,02465
0,1
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=2.4
Ω
,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
100
200
300
400
500
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=2.4
Ω
,V
CE
=600V
I
F
[A]
E [mJ]
0
100
200
300
400
500
600
0
5
10
15
20
25
30
35
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=300A,V
CE
=600V
R
G
[
Ω
]
E [mJ]
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
24
28
32
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,009
0,01
2
0,0495
0,02
3
0,048
0,05
4
0,0435
0,1
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
T
C
[°C]
R[
Ω
]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
1000
10000
100000
R
typ
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12ME3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:CU
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dateofpublication:2013-10-03
revision:2.3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
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